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          芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　　）
          A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
          B．①②③屬于同一反應(yīng)類型
          C．②③的目的是將粗硅提純
          D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          A、反應(yīng)①中一氧化碳失去氧，發(fā)生還原反應(yīng)，是氧化劑．故A錯(cuò)誤；
          B、①②③反應(yīng)都是一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成另一種單質(zhì)和另一種化合物，屬于同一基本反應(yīng)類型．故B正確；
          C、經(jīng)過(guò)②③反應(yīng)，粗硅得到提純，故②③的目的是將粗硅提純．正確；
          D、上述反應(yīng)如有氧存在會(huì)使反應(yīng)無(wú)法正常進(jìn)行，故不能有氧氣存在，故D正確．
          故選A．
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：初中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl
           加熱 
          .
           
          SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
          
                
          A、①②③屬于同一基本反應(yīng)類型
          B、②③的目的是將粗硅提純
          C、生產(chǎn)過(guò)程中HCl可以循環(huán)使用
          D、上述反應(yīng)只需在干燥的設(shè)備中進(jìn)行
          

			
          

			
          
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				科目：初中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          （2012?玄武區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：初中化學(xué)
				來(lái)源：2012年江蘇省南京市玄武區(qū)中考化學(xué)一模試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）
          A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
          B．①②③屬于同一反應(yīng)類型
          C．②③的目的是將粗硅提純
          D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在
          

			
          

			
          
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				科目：初中化學(xué)
				來(lái)源：2011年山東省濟(jì)南市中考化學(xué)模擬試卷（四）（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          （2011?西城區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HClSiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）
          

			
          

			
          
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