Question

【題目】硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍廣。三氯硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程如圖所示：

（1）寫(xiě)出上述流程中一種氧化物的化學(xué)式：；
（2）上述流程中最后一步反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ， 該反應(yīng)屬于(填基本反應(yīng)類(lèi)型)反應(yīng)；
（3）如果還原SiHCl3過(guò)程中混入O2 ， 可能引起的后果是；
（4）該流程中可以循環(huán)利用的物質(zhì)的化學(xué)式是。

Answer 1

【答案】
（1）SiO2
（2）SiHCl3＋H2 Si＋3HCl；置換
（3）爆炸
（4）HCl
【解析】(1)上述流程中的氧化物是二氧化硅，化學(xué)式分別是SiO2；(2)三氯甲硅烷和氫氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiHCl3＋H2 Si＋3HCl；(3)如果還原SiHCl3過(guò)程中混入O2 ， 氧氣和氫氣混合達(dá)到一定程度時(shí)，在高溫條件下會(huì)發(fā)生爆炸；(4)該流程中可以循環(huán)利用的物質(zhì)是HCl。
故答案為：（1）SiO2（2）SiHCl3＋H2 Si＋3HCl；置換（3）爆炸；（4）HCl（1）根據(jù)物質(zhì)的組成分析屬于氧化物的物質(zhì)
（2）根據(jù)反應(yīng)物生成物反應(yīng)條件結(jié)合方程式的書(shū)寫(xiě)方法解答，A+ＢＣ＝ＡＣ＋Ｂ屬于置換反應(yīng)
（3）根據(jù)氫氣和氧氣混合點(diǎn)燃爆炸分析
（４）利用流程圖分析