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        1. 氮化硅(Si3N4)是一種具有耐高溫耐磨蝕等優(yōu)異性能的新型陶瓷。工業(yè)上可用下列方法制取:3SiO2+6C+2N2Si3N4+6CO。下列說法正確的是

            A.氮化硅陶瓷可用于制造汽車發(fā)動機(jī)

            B.氮化硅陶瓷是良好的半導(dǎo)體材料

            C.氮化硅陶瓷屬于傳統(tǒng)硅酸鹽產(chǎn)品

            D.氮化硅可改寫成3SiO2·2NO2形式

          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          氮化硅Si3N4是一種非氧化物高溫陶瓷結(jié)構(gòu)材料.粉末狀的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3氣的混合物反應(yīng)制取.粉末狀Si3N4對空氣和水都不穩(wěn)定,粉末狀Si3N4遇水能生成一種有刺激性氣味、常用做制冷劑的氣體和一種難溶性的酸;粉末狀Si3N4與空氣接觸能產(chǎn)生N2和另外一種物質(zhì).但是,將粉末狀Si3N4和適量MgO(難熔)在230℃1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以得到結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料.
          (1)寫出由SiCl4和NH3制備Si3N4的反應(yīng)方程式:
          3SiCl4+4NH3═Si3N4+12HCl
          3SiCl4+4NH3═Si3N4+12HCl

          (2)分別寫出粉末狀Si3N4和H2O及O2反應(yīng)的方程式:
          Si3N4+9H2O═3H2SiO3+4NH3
          Si3N4+9H2O═3H2SiO3+4NH3
          ;
          Si3N4+3O2═3SiO2+2N2
          Si3N4+3O2═3SiO2+2N2

          (3)為什么結(jié)構(gòu)緊密的固體Si3N4不再受H2O和O2的侵蝕?

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          硅在材料王國中具有舉足輕重的位置.請解答下列試題:
          (1)硅的制備方法是制約太陽能發(fā)展的瓶頸,硅的制備原料是石英砂,石英與焦炭在高溫電爐中反應(yīng)可以制得硅.該反應(yīng)的化學(xué)方程式是
           
          ,該反應(yīng)的氣體產(chǎn)物是一氧化碳,不是二氧化碳,其原因是
           

          (2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制。勰頢i3N4對空氣和水都不穩(wěn)定.但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×l05Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時還得到對水不穩(wěn)定的Mg3N2
          ①寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式
           
          ;
          ②現(xiàn)用四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅,該制造方法稱為:
           
          ;反應(yīng)的化學(xué)方程式為
           
          ;該法還可制造金剛石薄膜,反應(yīng)的化學(xué)方程式為
           

          ③在Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過程中,除生成Mg3N2外,還可能生成
           
          物質(zhì).熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是
           

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          氮化硅(Si3N4)是一種非氧化物高溫陶瓷結(jié)構(gòu)材料,粉末狀的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3的混合物反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對空氣和水都不穩(wěn)定。但是,將粉末狀Si3N4和適量MgO在230×1.01×105 Pa和185 ℃的密閉容器中熱處理,可以得到表面結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體高溫結(jié)構(gòu)材料。

          (1)寫出由SiCl4和NH3制備Si3N4的反應(yīng)方程式。?

          (2)分別寫出粉末狀Si3N4和H2O、O2反應(yīng)的方程式。?

          (3)為什么結(jié)構(gòu)緊密的固體Si3N4不再受H2O和O2的侵蝕??????

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          (1)用地殼中某主要元素生產(chǎn)的多種產(chǎn)品在現(xiàn)代高科技中占重要位置,足見化學(xué)對現(xiàn)代物質(zhì)文明的重要作用。例如:

          ①光導(dǎo)纖維的主要成分是______________;

          ②目前應(yīng)用最多的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是_____________________。

          (2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適?量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃?的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時還得到對水不穩(wěn)定的Mg3N2

          ①經(jīng)過熱處理的Si3N4,其晶體類型為___________________________________;

          ②寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式:____________________________;

          ③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105 Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過程中,除生成Mg3N2外,還可能生成_______物質(zhì)。熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是______________。

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          科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年甘肅省高三第三次模擬考試(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題

          (14分)氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可由SiO2與過量焦炭在1300-1700oC的氮氣流中反應(yīng)制得3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g) Si3N4(s)+6CO(g)

          (1)上述反應(yīng)氧化劑是          ,已知該反應(yīng)每轉(zhuǎn)移1mole,放出132.6kJ的熱量,該方程式的∆H =                  。

          (2)能判斷該反應(yīng)(在體積不變的密閉容器中進(jìn)行)已經(jīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的是            。

                 A.焦炭的質(zhì)量不再變化                B.N2和CO速率之比為1:3

                 C.生成6molCO同時消耗1mol Si3N4     D.混合氣體的密度不再變化

          (3)該反應(yīng)的溫度控制在1300-1700oC的原因是                              。

          (4)某溫度下,測得該反應(yīng)中N2和CO各個時刻的濃度如下,則0—20 min內(nèi)N2的平均

          反應(yīng)速率                   ,在平衡混合氣體中CO的體積分?jǐn)?shù)是            

          時間/min

          0

          5

          10

          15

          20

          25

          30

          35

          40

          45

          N2濃度

          /mol·L-1

          4.00

          3.70

          3.50

          3.36

          3.26

          3.18

          3.10

          3.00

          3.00

          3.00

          CO濃度

          /mol·L-1

          0.00

          0.90

          1.50

          1.92

          2.22

          2.46

          2.70

           

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