日韩亚洲一区中文字幕,日韩欧美三级中文字幕在线,国产伦精品一区二区三区,免费在线欧美性爱链接

      1. <sub id="o5kww"></sub>
        <legend id="o5kww"></legend>
        <style id="o5kww"><abbr id="o5kww"></abbr></style>

        <strong id="o5kww"><u id="o5kww"></u></strong>
        1. 太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGs(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

          (1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為                。

          (2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u>    (用元素符號(hào)表示)。

          (3)Cu晶體的堆積方式是          (填堆積名稱),其配位數(shù)為        ;往Cu的硫酸鹽溶液中加入過量氨水,可生成[Cu(NH3)4]SO4,下列說法正確的是_____

          A.[Cu (NH3)4]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵

          B.在[Cu(NH3)4 ]2+中Cu2+給出孤對電子,NH3提供空軌道

          C.[Cu (NH3)4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素

          D.SO42-與PO43-互為等電子體,空間構(gòu)型均為正四面體

          (4)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)溶于水顯弱酸性,但它卻只是一元酸,可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因。

          ①H3BO3中B的原子雜化類型為          ;

          ②寫出硼酸在水溶液中的電離方程式          。

          (5)硅與碳是同一主族元素,其中石墨為混合型晶體,已知石墨的層 間距為335pm,C-C鍵長為142pm,計(jì)算石墨晶體密度(要求寫出計(jì)算過程,得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字,NA為6.02×1023mol-1

           

           

          【答案】

          (1)3d10(1分)

          (2)Br〉A(chǔ)s〉Se(2分)

          (3)12 (2分)      面心立方最密堆積   AD(2分)

          (4)①sp2(2分)②(2分)

          (5)石墨的層間距為335pm,可以認(rèn)為一層石墨的厚度是335pm。對某一層石墨中的一個(gè)六元環(huán),正六邊形環(huán)的邊長是142pm,面積S=6×1/2×142×142sin(π/3)=52387.6pm2。環(huán)的厚度h=335pm那么一個(gè)環(huán)占有的體積V=Sh=52387.6×335=1.754×107pm3=1.754×10-23cm3。六元環(huán)中每個(gè)C原子都被3個(gè)環(huán)共用,一個(gè)環(huán)實(shí)際有2個(gè)C原子。一個(gè)環(huán)的質(zhì)量m=2M/NA=2×12.01/(6.023×1023)=3.988×10-23g。

          所以,石墨的密度ρ=m/V=3.988/1.754=2.27g/cm3。(4分)

          【解析】

          試題分析:(1)銅是29號(hào)元素,銅原子失去一個(gè)電子變成亞銅離子,所以亞銅離子核外有28個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理寫出其核外電子排布式基態(tài)銅離子(Cu+)的價(jià)電子排布式為:3d10

          (2)同一周期中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第VA族元素最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)較穩(wěn)定,第一電離能大于其相鄰元素;As、Se、Br屬于同一周期且原子序數(shù)逐漸增大,這三種元素依次屬于第IVA族、第VA族、第VIA族,3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)锽r>As>Se;

          (3)金屬銅為面心立方堆積,配位數(shù)為12;在[Cu(NH3)4]SO4中含有離子鍵、極性鍵和配位鍵;配位鍵的形成:NH3給出孤對電子,Cu2+提供空軌道;同一周期中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第VA族元素最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)較穩(wěn)定,第一電離能大于其相鄰元素;同一族中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈減小的趨勢,所以第一電離能最大的為氮元素;選A、D;

          (4)①H3BO3中B原子和三個(gè)羥基相連,具有具有平面三角的構(gòu)形,B是sp2雜化;②H3BO3為缺電子化合物,溶于水后和水電離產(chǎn)生的OH-通過配位鍵結(jié)合形成[B(OH)4]-,故H3BO3的電離方程式為

          考點(diǎn):考查核外電子排布、第一電離能大小的比較、雜化方式的判斷、配位數(shù)的判斷、晶胞結(jié)構(gòu)結(jié)合豐富想象力進(jìn)行分析解答。.

           

          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

          (2013?青島一模)[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
          太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池.完成下列填空:
          (1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的電子排布式為
          [Ar]3d10
          [Ar]3d10
          ;
          (2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?!--BA-->
          Br>As>Se
          Br>As>Se
           (用元素符號(hào)表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
          As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
          As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大

          (3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
          sp3
          sp3
          ,B與N之間形成
          配位
          配位
          鍵;
          (4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
          12
          12

          查看答案和解析>>

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          (2013?樂山三模)太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池.
          (1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為
          3d10
          3d10

          (2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則這3種元素的第一電離能從大到小的順序?yàn)?!--BA-->
          Br>As>Se
          Br>As>Se
          (用元素符號(hào)表示).
          (3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]-而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì).
          ①[B(OH)4]-中B的原子雜化類型為
          sp3
          sp3

          ②不考慮空間構(gòu)型,[B(OH)4]-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為

          (4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);若在晶體硅所有Si-Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體.
          ①在SiC中,每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
          12
          12

          ②判斷a.SiO2,b.干冰,c.冰三種晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是
          b<c<a
          b<c<a
          (填序號(hào)).

          查看答案和解析>>

          科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年山東省青島市高三第一次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

          太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。完成下列填空:

          (1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的電子排布式為                         ;

          (2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?         (用元素符號(hào)表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋               ;

          (3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3。 BF3·NH3中B原子的雜化軌道類型為     ,B與N之間形成      鍵;

          (4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為         。

           

          查看答案和解析>>

          科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江西省南昌市高三第三次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

          太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻人Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是___       。

          (2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u>    (用元素符號(hào)表示)。

          (3)H2Se的酸性比H2S____(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____     。

          (4)硅烷(SinH2n+2)的沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是      。

          (5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì),則[B(OH)4]中B的原子雜化類型為                   。

          (6)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是____,反應(yīng)的離子方程式為             。

          (7)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,則該合金中Au原子與Cu原子個(gè)數(shù)之比為      ,若該晶胞的邊長為a pm,則合金的密度為     g·cm-3(已知lpm=10-12m,只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加塞羅常數(shù)為NA)。

           

          查看答案和解析>>