Question

（化學(xué)－物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式　　　　。

從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>　　　　。

（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為　　　　，微粒間存在的作用力是　　　　。

（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為　　　　（填元素符號）。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是　　　　。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO₂中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵　　　　。

Answer 1

【答案】（1）1s²2s²2p⁶3s²3p²    O＞C＞Si (2) sp³  共價鍵 （3）Mg  Mg²⁺半徑比Ca²⁺小，MgO晶格能大 （4）Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵

【解析】（1）C、Si和O的電負(fù)性大小順序?yàn)椋篛＞C＞Si。（2）晶體硅中一個硅原子周圍與4個硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以雜化方式是sp³ 。（3）SiC電子總數(shù)是20個，則氧化物為MgO；晶格能與所組成離子所帶電荷成正比，與離子半徑成反比，MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同，Mg²⁺半徑比Ca²⁺小，MgO晶格能大，熔點(diǎn)高。（4） Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵

【考點(diǎn)分析】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、原子結(jié)構(gòu)、雜化方式綜合考查