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        1. ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物         

          (2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列          。

          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>       ;

          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                          ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃ ,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃,引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         

          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構(gòu)型為                  ;

          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,

          則該氧化物的化學(xué)式為          。

           

           

          【答案】

          (12分)[(4)、(5)兩題每空1分,其余每空2分]

          (1)CS2 或N2O     (2)SiO2>Na2O>P2O5     (3) O>S>Se  

          (4)1s22s22p63s23p63d104s24p4 或[Ar]3d104s24p4   H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S   

          (5) sp3;三角錐形   (6) AO

          【解析】

          試題分析:(1)原子數(shù)和價(jià)電子數(shù)分別都相等的互為等電子體,CO2含有3個(gè)原子、4+6×2=16個(gè)價(jià)電子數(shù),所以與CO2等電子的化合物是CS2 或N2O。

          (2)Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物形成的晶體類型分別是離子晶體、原子晶體和分子晶體,所以三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列是SiO2>Na2O>P2O5。

          (3)非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大。根據(jù)元素周期律可知,同主族元素自上而下非金屬性逐漸減弱,即O、S、Se三種元素的非金屬性強(qiáng)弱順序是O>S>Se,所以三種原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)镺>S>Se。

          (4)Se元素的原子序數(shù)是34,所以根據(jù)構(gòu)造原理可知,Se原子基態(tài)核外電子的排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4 或[Ar]3d104s24p4;由于H2Se和H2S分子形成的晶體類型均是分子晶體,而H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S,所以H2Se的分子沸點(diǎn)高于H2S的沸點(diǎn)。

          (5)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,SO32-離子中硫原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=(6+2-3×2)÷2=1,所以該離子的空間構(gòu)型是三角錐形,而硫原子的雜化方式是sp3。

          (6)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)并借助于均攤法可知,晶胞中含有的白球個(gè)數(shù)=8×+6×=4個(gè),而黑球全部在晶胞內(nèi),其個(gè)數(shù)=4個(gè),所以該氧化物的化學(xué)式是AO。

          考點(diǎn):考查等電子體、晶體沸點(diǎn)比較以及及晶體化學(xué)式確定、第一電離能、核外電子排布、空間構(gòu)型、雜化軌道類型的判斷等

           

          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

          ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請(qǐng)回答下列問題:

          (1)S單質(zhì)的常見形式是S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
          sp3
          sp3
          ;
          (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
          O>S>Se
          O>S>Se
          ;
          (3)Se的原子序數(shù)為
          34
          34
          ,其核外M層電子的排布式為
          3s23p63d10
          3s23p63d10
          ;
          (4)H2Se的酸性比 H2S
          強(qiáng)
          強(qiáng)
          (填“強(qiáng)”或“弱”).氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
          平面三角形
          平面三角形
          ,
          SO
          2-
          3
          離子的立體構(gòu)型為
          三角錐形
          三角錐形
          ;
          (5)H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4的第一步幾乎完全電離,K2是1.2×10-2,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
          ①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因:
          第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
          第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子

          ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:
          H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
          H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

          (6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛.立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,其晶胞邊長為540.0pm,密度為
          4×(65+32)g?mol-1
          6.02×1023mol-1
          (540.0×10-10cm)3
          =4.1
          4×(65+32)g?mol-1
          6.02×1023mol-1
          (540.0×10-10cm)3
          =4.1
          g?cm-3(列式并計(jì)算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
          270.0
          1-cos109°28′
          135.0×
          2
          sin
          109°28′
          2
          135
          3
          270.0
          1-cos109°28′
          135.0×
          2
          sin
          109°28′
          2
          135
          3
          pm(列式表示)

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          科目:高中化學(xué) 來源:2013屆江蘇省揚(yáng)州中學(xué)高三12月質(zhì)量檢測化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

          (12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:
          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。
          (2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         。
          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ;
          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ;
          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 
          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為         

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          科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江蘇省高三12月質(zhì)量檢測化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

          (12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。

          (2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         。

          (3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ;

          (4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ;

          (5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ;

          (6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為         。

           

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:

          (1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物   ▲  

          (2)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為        ▲   ; O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>  ▲  ;

          (3)SO32-離子中硫原子的雜化方式  ,該離子的立體構(gòu)型為    ▲      ;

          (4)某金屬元素(以A表示)的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為   ▲ 

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