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        1. 下列物質(zhì)熔化時,化學(xué)鍵未被破壞的是(    )
          A.食鹽B.干冰C.二氧化硅D.金屬鈉
          B
          分子晶體熔化時,一般不需破壞化學(xué)鍵,只要克服分子間作用力即可。
          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列說法中正確的是(    )
          A.金剛石晶體中的最小碳原子環(huán)由6個碳原子構(gòu)成
          B.Na2O2晶體中陰離子與陽離子數(shù)目之比為1∶1
          C.1 mol SiO2晶體中含2 mol Si—O鍵
          D.金剛石化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,即使在高溫下也不會和O2反應(yīng)

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:計算題

          由烷基鎂熱分解制得鎂的氫化物。實(shí)驗(yàn)測定,該氫化物中氫的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7.6%,氫的密度為0.101 g cm?3,鎂和氫的核間距為194.8 pm。已知?dú)湓拥墓矁r半徑為37pm,Mg2+ 的離子半徑為72 pm。
          ⑴ 寫出該氫化物中氫的存在形式,并簡述理由。                 
          ⑵ 將上述氫化物與金屬鎳在一定條件下用球磨機(jī)研磨,可制得化學(xué)式為Mg2NiH4的化合物。X-射線衍射分析表明,該化合物的立方晶胞的面心和頂點(diǎn)均被鎳原子占據(jù),所有鎂原子的配位數(shù)都相等。推斷鎂原子在Mg2NiH4晶胞中的位置(寫出推理過程)。      
          ⑶ 實(shí)驗(yàn)測定,上述Mg2NiH4晶體的晶胞參數(shù)為646.5 pm,計算該晶體中鎂和鎳的核間距。已知鎂和鎳的原子半徑分別為159.9 pm和124.6 pm。             
          ⑷ 若以材料中氫的密度與液態(tài)氫密度之比定義儲氫材料的儲氫能力,計算Mg2NiH4的儲氫能力(假定氫可全部放出;液氫的密度為0.0708 g·cm-3)。

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列敘述不正確的是
          A.離子晶體中只含離子鍵
          B.含有離子鍵的晶體一定是離子晶體
          C.離子晶體中可能含共價鍵
          D.離子晶體不一定由金屬陽離子和非金屬陰離子構(gòu)成

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:
          物質(zhì)
          NaF
          NaCl
          NaBr
          NaI
          NaCl
          KCl
          RbCl
          CsCl
          熔點(diǎn)/℃
          995
          801
          755
          651
          801
          776
          715
          646
          物質(zhì)
          SiF4
          SiCl4
          SiBr4
          SiI4
          SiCl4
          GeCl4
          SnCl4
          PbCl4
          熔點(diǎn)/℃
          -90.4
          -70.4
          5.2
          120
          -70.4
          -49.5
          -36.2
          -15
              (1)鈉的鹵化物、堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子、堿金屬離子的________有關(guān),隨著________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
          (2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與__________有關(guān),隨著_________增大,_________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。
          (3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________有關(guān),因?yàn)開______,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者。

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列事實(shí)能說明A元素的金屬性一定比B元素強(qiáng)的是(  )
          A.A的熔點(diǎn)比B的熔點(diǎn)高
          B.發(fā)生氧化還原反應(yīng)時,A元素原子失去的電子比B原子多
          C.B陽離子的氧化性比A陽離子氧化性強(qiáng)
          D.A能與水劇烈反應(yīng)放出氫氣,而B不能

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          金屬的下列性質(zhì)不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是( )
          A.有金屬光澤
          B.易生銹
          C.易導(dǎo)電
          D.有延展性

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          氮化硅是一種新合成的結(jié)構(gòu)材料,它是一種超硬、耐磨、耐高溫的物質(zhì)。下列各組物質(zhì)熔化時,所克服的粒子間作用力與氮化硅熔化時所克服的作用力相同的是    (    )
          A.硝石和金剛石B.晶體硅和水晶
          C.冰和干冰D.萘和碘

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:問答題

          下列是部分金屬元素的電離能
          XYZ
          第一電離能(kJ/mol)520.2495.8418.8
          (1)已知X、Y、Z的價層電子構(gòu)型為ns1,則三種金屬的氯化物(RCl)的熔點(diǎn)由低到高的順序?yàn)開_____.
          (2)CuCl用作有機(jī)合成催化劑,并用于顏料,防腐等工業(yè).CuCl的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示.元素Cu基態(tài)原子的電子排布式______,與同一個Cl-相連的Cu+有______個.

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          同步練習(xí)冊答案