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        1. 【題目】已知酸性: >H2CO3 ,綜合考慮反應(yīng)物的轉(zhuǎn)化率和原料成本等因素,將 轉(zhuǎn)變?yōu)? 的最佳方法是(
          A.與稀H2SO4共熱后,加入足量的NaOH溶液
          B.與稀H2SO4共熱后,加入足量的NaHCO3溶液
          C.與足量的NaOH溶液共熱后,再通入足量CO2
          D.與足量的NaOH溶液共熱后,再加入適量H2SO4

          【答案】C
          【解析】解:A. 在酸性條件下水解生成 ,加入NaOH后生成 ,得不到 ,故A錯誤; B和C相比較最后都能生成 ,考慮原料成本,C較為合適,故B錯誤,C正確;
          D.與足量的NaOH溶液共熱后,水解生成 ,再加入適量H2SO4 , 生成 ,得不到所需物質(zhì),故D錯誤.
          故選C.
          應(yīng)先在堿性條件下水解生成 ,由于 >H2CO3 ,則通入二氧化碳?xì)怏w可生成

          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          【題目】硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題:

          (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

          ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式_____________________________。

          ②整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、H2和另一種酸,寫出并配平化學(xué)反應(yīng)方程式_________________________________;H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是_________________________________________________。

          (2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是________

          A.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

          B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

          C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

          D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高,硬度很大

          (3)自然界中硅酸鹽種類多,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,通常用二氧化硅和金屬氧化物的形式來表示其組成.如正長石(KAlSi3O8),氧化物形式為_________________________________

          (4)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,產(chǎn)生的實驗現(xiàn)象為_____________,水玻璃在工業(yè)上有許多用途,試舉出一例____________________。

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          【題目】原子序數(shù)依次遞增且都小于36的A、B、C、D、E五種元素,其中A的一種核素中沒有中子,B原子基態(tài)時最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,D原子基態(tài)時2p原子軌道上有2個未成對的電子,E元素的原子結(jié)構(gòu)中3d能級上未成對電子數(shù)是成對電子數(shù)的2倍.回答下列問題:
          (1)B2A4分子中B原子軌道的雜化類型為 , B2A4分子中σ鍵和π鍵個數(shù)比為
          (2)A、B、C、D四種元素的電負(fù)性從大到小的順序為(用元素符號表示);化合物CA3的沸點比化合物BA4的高,其主要原因是
          (3)元素B的一種氧化物與元素C的一種氧化物互為等電子體,元素C的這種氧化物的分子式是
          (4)元素E能形成多種配合物,如:E(CO)5等. ①基態(tài)E原子的價電子排布圖為
          ②E(CO)5常溫下呈液態(tài),熔點為﹣20.5℃,沸點為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷E(CO)5晶體屬于(填晶體類型),該晶體中E的化合價為
          (5)E和C形成的一種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞的化學(xué)式為 . 若兩個最近的E原子間的距離為acm,則該晶體的密度是gmL1

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          【題目】如圖是硫酸試劑瓶標(biāo)簽上的內(nèi)容:

          (1)該硫酸的物質(zhì)的量濃度為   mol/L.
          (2)某化學(xué)小組進(jìn)行硫酸酸性實驗探究時,需要240mL4.6mol/L的稀硫酸,則需要取上述的濃硫酸 mL.
          (3)將上述濃硫酸進(jìn)行稀釋的實驗操作是
          (4)在配制4.6mol/L稀硫酸的過程中,下列情況對所配制硫酸溶液物質(zhì)的量濃度有何影響(填“偏高”“偏低”或“無影響”)?
          ①未經(jīng)冷卻趁熱將溶液注入容量瓶中: ;
          ②定容時仰視讀數(shù): ;
          ③用量筒量取濃硫酸時俯視 ;
          ④移液時不慎將少量溶液滴在容量瓶外面:
          (5)實驗過程中出現(xiàn)下列情況應(yīng)如何處理?
          ①向容量瓶中加入蒸餾水至距刻度線1~2cm時,應(yīng)
          ②加蒸餾水時不慎超過了刻度,應(yīng)

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          【題目】實驗室配制物質(zhì)的量濃度均為0.2mol/L 的NaCl溶液和稀H2SO4 各480mL.提供的試劑是:NaCl固體和98%的濃H2SO4(密度為1.84g/cm3)及蒸餾水.
          (1)應(yīng)用托盤天平稱量NaClg,應(yīng)用10mL量筒量取H2SO4mL;
          (2)配制兩種溶液時都需要的儀器是;
          (3)稀釋濃H2SO4時應(yīng)注意;
          (4)在配制上述溶液實驗中,下列操作引起結(jié)果偏低的有(填序號)
          A.在燒杯中溶解溶質(zhì)攪拌時,濺出少量溶液
          B.沒有用蒸餾水洗燒杯2~3次,并將洗液移入容量瓶中
          C.定容時,加水超過了刻度線,倒出一些再重新加水到刻度線
          D.將所配溶液從容量瓶轉(zhuǎn)移到試劑瓶時,有少量濺出
          E.把配好的溶液倒入剛用蒸餾水洗凈的試劑瓶中備用
          F.容量瓶剛用蒸餾水洗凈,沒有烘干
          G.量筒量取濃H2SO4后沒有用蒸餾水洗滌2~3次,并將洗液移入容量瓶中.
          H.容量瓶加水定容時俯視刻度線.

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          【題目】在兩個密閉容器中,分別充有質(zhì)量相等的甲、乙兩種氣體,它們的溫度和密度均相同.試根據(jù)甲、乙的摩爾質(zhì)量(M)的關(guān)系,判斷下列說法中正確的是(
          A.若M(甲)>M(乙),則分子數(shù):甲>乙
          B.若M(甲)<M(乙),則氣體摩爾體積:甲>乙
          C.若M(甲)<M(乙),則氣體的壓強(qiáng):甲>乙
          D.若M(甲)>M(乙),則氣體體積:甲<乙

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          【題目】某溫度時,在一個 10L 的恒容容器中, X、 Y、 Z 均為氣體,三種物質(zhì)的物質(zhì)的量隨時間的變化曲線如圖所示。根據(jù)圖中數(shù)據(jù)填空:

          (1)反應(yīng)開始至 2min,以氣體 X 表示的平均反應(yīng)速率為________________

          (2)該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________________________;

          (3)起始時容器內(nèi)混合氣體密度比平衡時______(”, “相等下同),混合氣體的平均相對分子質(zhì)量比平衡時___________

          (4) a mol X b mol Y 的混合氣體發(fā)生上述反應(yīng),反應(yīng)到某時刻各物質(zhì)的量恰好滿足:n(X)=n(Y)= n(Z),則原混合氣體中 a : b=___________。

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          【題目】下表為元素周期表的一部分,請參照元素①-⑨在表中的位置,回答問題:

          周期

          ⅠA

          ⅡA

          ⅢA

          ⅣA

          ⅤA

          ⅥA

          ⅦA

          0

          1

          2

          3

          (1)表中用于半導(dǎo)體材料的元素在周期表中的位置是__________________。

          (2)③、④、⑧的原子半徑最小是___________________(用元素符號回答)。

          (3)⑤、⑥、⑦的最高價氧化物對應(yīng)的水化物,堿性最強(qiáng)的是__________(用化學(xué)式回答)。

          (4)②、③、④的氣態(tài)氫化物,穩(wěn)定性最強(qiáng)的是__________(用結(jié)構(gòu)式回答

          (5)②和③按原子數(shù)1:2形成的化合物的電子式____________,該晶體氣化的過程中克

          服的微粒間作用力為_______________________。

          (6)③和⑧形成的化合物屬于_______________(填“離子化合物”或“共價化合物”),該晶體屬于________晶體(填“離子”、“分子”、“原子”)。

          (7)元素⑤、⑦的最高價氧化物的水化物互相反應(yīng)的化學(xué)方程式為:___________________。

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          【題目】下列物質(zhì)在水溶液中的電離方程式書寫錯誤的是(  )

          A. NaHCO3===Na++H++

          B. NH4NO3===+

          C. NaHSO4===Na++H++

          D. Ba(OH)2===Ba2++2OH

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