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        1. (8分)現(xiàn)有①CaBr2  ②金剛石  ③ 銅 ④干冰  ⑤Na2SO4  ⑥碘片  ⑦NH4Cl  ⑧晶體硅八種物質(zhì),按下列要求回答(填序號(hào)):
          (1)晶體熔化時(shí)需要破壞共價(jià)鍵的是             ,熔點(diǎn)最低的是               。
          (2)屬于離子晶體的是                
          (3)晶體中只存在一種微粒間作用力是                  。
          (1)②⑧,④(2)①⑤⑦ (3)①②③⑧ (每空2分)
          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列判斷正確的是
          A.含有共價(jià)鍵的化合物一定是共價(jià)化合物
          B.晶體中一定存在化學(xué)鍵
          C.含有離子鍵的化合物一定是離子化合物
          D.金屬鍵越強(qiáng),金屬越活潑,金屬熔點(diǎn)越高

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          干燥劑的干燥性能可用干燥效率(1m3空氣中實(shí)際余留水蒸氣的質(zhì)量)來衡量。某些干燥劑的干燥效率數(shù)據(jù)如下:
          物 質(zhì)
          MgO
          CaO
          ZnCl2
          ZnBr2
          干燥效率
          0.008
          0.2
          0.8
          1.1
          根據(jù)以上數(shù)據(jù),下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是(  )
          A.MgO的干燥性能比CaO好
          B.干燥效率可能與干燥劑的陰、陽離子的半徑大小有關(guān)
          C.MgCl2可能是比CaCl2更好的干燥劑 
          D.上述干燥劑中陽離子對(duì)干燥性能的影響比陰離子小

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          (12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲   。在GaN晶體中,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲  。在四大晶體類型中,GaN屬于  ▲ 晶體。
          ⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子,另一方是具有    ▲  的原子或離子
          ⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請(qǐng)回答下列問題:

          ① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是   ▲ 
          ②SO2分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲
          ③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,原因是  ▲  。
          ④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲  。
          a.配位鍵     b.極性鍵     c.離子鍵    d.非極性鍵

          ⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲ 。

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          (選做題)(21分)下表是元素周期表的一部分,表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。
          試回答下列問題:

          (1)元素p為26號(hào)元素,請(qǐng)寫出其基態(tài)原子電子排布式                 。
          (2)d與a反應(yīng)的產(chǎn)物的分子中中心原子的雜化形式為                   。
          (3)h的單質(zhì)在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光,請(qǐng)用原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)解釋發(fā)光的原因:                                  
          (4)o、p兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于表:
          元素
          o
          P
          電離能/kJ·mol-1
          I1
          717
          759
          I2
          1509
          1561
          I3
          3248
          2957
                 比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)o2+再失去一個(gè)電子比氣p2+再失去一個(gè)電子。對(duì)此,你的解釋是                              。
          (5)i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示,其晶胞特征如下圖乙所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示,則晶胞中i原子的配位數(shù)為             。

          (6)元素a、c、e可形成一種相對(duì)分子質(zhì)量為60的一元羧酸分子,其分子中共形成 個(gè)鍵,     個(gè)鍵。
          (7)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如下圖,其中電負(fù)性最大的是   (填下圖中的序號(hào))。
          (8)短周期某主族元素M的電離能情況如下圖所示,則M元素是述周期表的    元素(填元素符號(hào))。

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          在硅晶體、二氧化硅、硫酸鈣、硫酸鋇四種物質(zhì)中,可用作制造光導(dǎo)纖維的重要原料的是         ,常用作“鋇餐”的是         

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列物質(zhì)按熔沸點(diǎn)由低到高的順序排列的是
          A.二氧化硅、氫氧化鈉、萘B.鈉、鉀、銫
          C.干冰、氧化鎂、磷酸D.C2H6、C(CH3)4、CH3(CH2)3CH3

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          在解釋物質(zhì)性質(zhì)變化規(guī)律與物質(zhì)結(jié)構(gòu)間的因果關(guān)系時(shí),與鍵能無關(guān)的變化規(guī)律是
          A.Li、Na、K、Rb的沸點(diǎn)逐漸降低
          B.與硅相比,金剛石的硬度大、熔點(diǎn)高
          C.HF、HCl、HBr、HI熱穩(wěn)定性依次減弱
          D.H2、O2、H2S在水中的溶解性依次為難溶、微溶、可溶

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列各組物質(zhì)汽化或熔化,所克服的微粒間的作用力,屬于同種類型的是 
          A.碘單質(zhì)的升華和金剛石的熔化B.二氧化硅和氯化鉀的熔化
          C.氧化鋁和冰的熔化D.乙醇和液氯的汽化

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