Question

通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（ΔH），化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵	Si—O	Si—Cl	H—H	H—Cl	Si—Si	Si—C
鍵能/kJ·mol－1	460	360	436	431	176	347

 
請(qǐng)回答下列問題：
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“＞”或“＜”）。SiC____________Si；SiCl₄____________SiO₂。
（2）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（3）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。篠iCl₄（g）＋2H₂（g）Si（s）＋4HCl（g）該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH＝________ kJ·mol^－1。

Answer 1

（1）＞�。肌�
（2）如下圖

（3）236

（1）SiC和晶體Si皆為原子晶體，由于碳化硅晶體中的Si—C鍵的鍵能大于硅晶體中Si—Si鍵的鍵能，故SiC的熔點(diǎn)比Si高；SiCl₄為分子晶體，SiO₂為原子晶體，故SiCl₄的熔點(diǎn)比SiO₂低。
（2）晶體硅的結(jié)構(gòu)與金剛石相似，每個(gè)硅原子都被相鄰的4個(gè)硅原子包圍，這4個(gè)硅原子位于四面體的四個(gè)頂點(diǎn)上，被包圍的硅原子處于正四面體的中心。
（3）根據(jù)題目所給反應(yīng)式，需要斷裂的舊化學(xué)鍵鍵能之和為4×360 kJ·mol^－1＋2×436 kJ·mol^－1＝2 312 kJ·mol^－1，形成的新化學(xué)鍵鍵能之和為4×431 kJ·mol^－1＋2×176 kJ·mol^－1＝2 076 kJ·mol^－1，所以ΔH＝236 kJ·mol^－1。