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        1. 下列關(guān)于晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是(     )
          A.每摩爾Si晶體中,含有2摩爾Si-Si共價(jià)鍵
          B.在CO2晶體中,與每個(gè)CO2分子周圍緊鄰的有12個(gè)CO2分子
          C.在CsCl晶體中,與每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl-,而與每個(gè)Cs+等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs+
          D.在簡(jiǎn)單立方堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有6個(gè)金屬原子
          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

          【化學(xué)—選修3 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】(15分)
          A、B、C、D、E是原子序數(shù)逐漸增大的1-36號(hào)元素。A原子核外有4個(gè)原子軌道填充了電子;B的第一電離能比同周期相鄰元素的第一電離能大,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素氫化物中最大;C的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4;D原子的M層和N層電子數(shù)均比E原子少4個(gè),E是人體必須的微量元素。
          試根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題:
          (1)A原子的電子排布圖              ,E原子的外圍電子排布式為          。
          (2)AC2分子中含有                個(gè)π鍵。
          (3)含C50%的C的氧化物的空間構(gòu)型為_(kāi)________,C的原子軌道采用______雜化。
          (4)寫(xiě)出A的常見(jiàn)氧化物與B的氧化物中互為等電子體的一組                     。
          (5)已知D的晶體在不同溫度下有A、B兩種堆積方式,則A、B兩晶胞中D原子的配位數(shù)之比       ; 晶體的密度之比為             。

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

          (15分)[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)] 現(xiàn)有前四周期A、B、C、D、E、X六種元素,已知B、C、D、E、A五種非金屬元素原子半徑依次減小,其中B的s能級(jí)上電子總數(shù)等于p能級(jí)上電子總數(shù)的2倍。X原子的M能層上有4個(gè)未成對(duì)電子。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
          (1)寫(xiě)出C、D、E三種原子第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)______________。
          (2)A原子與B、C、D原子形成最簡(jiǎn)單化合物的穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)開(kāi)____________,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論預(yù)測(cè)BA2D的分子構(gòu)型為_(kāi)___________。
          (3)某藍(lán)色晶體,其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是X2+、X3+離子分別占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn),而立方體的每條棱上均有一個(gè)BC-。與A同族且相差兩個(gè)周期的元素R的離子位于立方體的恰當(dāng)位置上。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可知該晶體的化學(xué)式為(用最簡(jiǎn)正整數(shù)表示)________
          (4)科學(xué)家通過(guò)X射線探明,KCl、MgO、CaO、TiN的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl的晶體
          結(jié)構(gòu)相似(如右圖所示),其中3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表:

          離子晶體
          NaCl
          KCl
          CaO
          晶格能/kJ·mol1
          786
          715
          3401
          根據(jù)表格中的數(shù)據(jù):判斷KCl、MgO、TiN 三種離子晶體熔點(diǎn)從高到低的順序是______________。MgO晶體中一個(gè)Mg2周圍和它最鄰近且等距離的O2-有__________________個(gè)。
          (5)研究物質(zhì)磁性表明:金屬陽(yáng)離子含未成對(duì)電子越多,則磁性越大,磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5和Cr2O3中,適合作錄音帶磁粉原料的是__________________。

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          離子鍵的強(qiáng)弱主要決定于離子的半徑和離子電荷值。一般規(guī)律是:離子半徑越小,離子電荷值越大,則離子鍵越強(qiáng)。K2O、MgO、CaO三種物質(zhì)中離子鍵由強(qiáng)到弱的順序是                               (   )
          A.K2O、MgO、CaOB.MgO、K2O、CaO
          C.MgO、CaO、K2OD.CaO、MgO、K2O

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列有關(guān)物質(zhì)的熔沸點(diǎn)說(shuō)法錯(cuò)誤的是
          A.Li>Na>K>Rb
          B.F2<Cl2<Br2<I2
          C.金剛石>晶體Si>NaCl>干冰
          D.HF>HCl>HBr>HI

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

          (6分) 有下列物質(zhì)①鐵 ②干冰 ③金剛石 ④水晶 ⑤氯化鈉 ⑥碘 ⑦氫氧化鈉,用編號(hào)填寫(xiě)下列空格。
          (1)離子晶體有       ,分子晶體有        ,原子晶體有         ;
          (2)已知微粒間作用力包括化學(xué)鍵及分子間作用力。上述物質(zhì)所含的微粒間作用力中,僅有共價(jià)鍵的有      ,僅有離子鍵的有      ,既含共價(jià)鍵又含離子鍵的有       ;

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

          一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。

          (1)每個(gè)晶胞種含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。
          (2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;
          (3)陽(yáng)離子的配位數(shù)為_(kāi)________,陰離子的配位數(shù)為_(kāi)_______。
          (4)已知A的離子半徑為0.99×1010m,則該晶胞的體積是_______________m3
          (每空2分,共12分)

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          實(shí)現(xiàn)下列變化時(shí),需要克服相同類型作用力的是
          A.水晶和干冰的熔化B.食鹽和醋酸鈉的熔化
          C.液溴和液汞的汽化D.HCl和NaCl溶于水

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          通常情況下,氯化鈉、氯化銫、二氧化碳和二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)分別如下圖所示:

          下列關(guān)于這些晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的敘述不正確的是
          A.在氯化鈉晶體中每個(gè)Cl周圍同時(shí)吸引6個(gè)Na,在氯化銫晶體中每個(gè)Cl周圍同時(shí)吸引8個(gè)Cs
          B.氯化鈉、氯化銫和二氧化碳的晶體都有立方的晶胞結(jié)構(gòu),它們具有相似的物理性質(zhì)
          C.二氧化碳晶體是分子晶體,其中不僅存在分子間作用力,而且也存在共價(jià)鍵
          D.在二氧化硅晶體中,平均每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si一O共價(jià)單鍵

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