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          下列敘述正確的是（   ）
          A．液晶是由分子較大、分子形狀呈長(zhǎng)形或碟形的物質(zhì)形成的晶體
          B．制造光導(dǎo)纖維的主要材料是高純度硅，屬于原子晶體
          C．H2O分子比H2S分子穩(wěn)定是因?yàn)樗肿又g存在氫鍵
          D．NaCl和MgO晶體熔融時(shí)克服的作用力相同
          			
          


			
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          （7分）已知周期表中，元素Q、R、W、Y與元素X相鄰。Y的最高化合價(jià)氧化物的水化物是強(qiáng)酸，W的氯化物分子呈正四面體結(jié)構(gòu)，W與Q形成高溫陶瓷。這5個(gè)元素的氫化物分子中：
          ①立體結(jié)構(gòu)類(lèi)型相同的氫化物的沸點(diǎn)從高到低排列次序是（填化學(xué)式）                    ，其原因是                         ；
          ②（3分）電子總數(shù)相同的氫化物的化學(xué)式和立體結(jié)構(gòu)分別是                    。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          （共計(jì)12分）
           A．鋅是一種重要的金屬，鋅及其化合物有著廣泛的應(yīng)用。
          （1）葡萄糖酸鋅[CH2OH（CHOH4COO）2Zn是目前市場(chǎng)上流行的補(bǔ)鋅劑。寫(xiě)出Zn2+基
          態(tài)電子排布式                      ；葡萄糖[CH2OH（CHOH）4CHO]分子中碳原子雜化方式是                         。
          （2）Zn2+也能與NH3形成配離子[Zn（NH3）4]2+。配位體NH3分子空間構(gòu)型為      ；
          在[Zn（NH3）4]2+中，Zn2+位于正四面體中心，N位于正四面體的頂點(diǎn)，試在下圖中
          表示[Zn（NH3）4]2+中Zn2+與N之間的化學(xué)鍵       。

          （3）下圖表示鋅與某種元素X形成的化合物晶胞，其中Zn和X通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合，該化合物的化學(xué)式為       ；

          該化合物的晶體熔點(diǎn)比干冰高得多，原因是     。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          【化學(xué)—選修3 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）
          A、B、C、D、E是原子序數(shù)逐漸增大的1-36號(hào)元素。A原子核外有4個(gè)原子軌道填充了電子；B的第一電離能比同周期相鄰元素的第一電離能大，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素氫化物中最大；C的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4；D原子的M層和N層電子數(shù)均比E原子少4個(gè)，E是人體必須的微量元素。
          試根據(jù)以上信息，回答下列問(wèn)題：
          （1）A原子的電子排布圖              ，E原子的外圍電子排布式為          。
          （2）AC2分子中含有                個(gè)π鍵。
          （3）含C50%的C的氧化物的空間構(gòu)型為_(kāi)________，C的原子軌道采用______雜化。
          （4）寫(xiě)出A的常見(jiàn)氧化物與B的氧化物中互為等電子體的一組                     。
          （5）已知D的晶體在不同溫度下有A、B兩種堆積方式，則A、B兩晶胞中D原子的配位數(shù)之比       ; 晶體的密度之比為             。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          HgCl2稀溶液是外科手術(shù)刀的一種消毒劑。HgCl2有如下性質(zhì)：①晶體熔點(diǎn)較低；②在熔融狀態(tài)下不能導(dǎo)電；③在水溶液中可發(fā)生微弱電離，下列關(guān)于HgCl2的敘述中正確的是                              （   ）
          A．HgCl2屬于共價(jià)化合物B．HgCl2屬于離子化合物
          C．HgCl2屬于非電解質(zhì)D．HgCl2屬于弱電解質(zhì)
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列說(shuō)法中正確的是
          A．干冰升華時(shí)分子內(nèi)共價(jià)鍵會(huì)發(fā)生斷裂
          B．原子晶體中原子以共價(jià)鍵結(jié)合，具有鍵能大、熔點(diǎn)高、硬度大的特性
          C．分子晶體的熔沸點(diǎn)低，常溫下均呈液態(tài)或氣態(tài)
          D．金屬導(dǎo)電的原因是在外加電場(chǎng)的作用下金屬產(chǎn)生自由電子，電子定向運(yùn)動(dòng)
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          根據(jù)表中給出的幾種物質(zhì)在常壓下的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，判斷下列有關(guān)說(shuō)法中錯(cuò)誤的是
           
          		NaCl
          		AlCl­­3
          		SiCl­4
          		單質(zhì)B
          熔點(diǎn)
          		810℃
          		190℃
          		－68℃
          		1300℃
          沸點(diǎn)
          		1465℃
          		183℃
          		57℃
          		2500℃
           
          A．SiCl4形成的晶體是分子晶體.B．單質(zhì)B可能是原子晶體
          C．電解NaCl水溶液可制得金屬鈉D．不能用電解熔融AlCl3制取單質(zhì)鋁
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          實(shí)現(xiàn)下列變化時(shí)，需要克服相同類(lèi)型作用力的是
          A．水晶和干冰的熔化B．食鹽和醋酸鈉的熔化
          C．液溴和液汞的汽化D．HCl和NaCl溶于水
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          某物質(zhì)的晶體中含Ti、O、Ca三種元素，其晶胞排列方式如右圖所示，晶體中Ti、O、Ca的個(gè)數(shù)之比為（   ） 
          A．1∶3∶3B．2∶3∶1C．2∶2∶1D．1∶3∶1
          

			
          

			
          
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