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          Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
          （1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。
          （2）下列說法正確的是            （選填序號(hào)）。
          A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
          C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As 
          （3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為        。
          Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

          （1）晶體中Ca2+的配位數(shù)為             。
          （2）已知Ca2+的半徑為a cm，O2-的半徑為b cm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，
          該晶體的密度為         g/cm3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          Ⅰ（1） 
          （2）AC
          （3）非極性分子    sp2
          Ⅱ（1）  6
          （2） 
          

          解析
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．試回答：
          （1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為
          1s22s22p63d104s24p1
          1s22s22p63d104s24p1
          ．
          （2）下列說法正確的是
          AC
          AC
          （選填序號(hào)）．
          A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
          C．電負(fù)性：As＞Ga        D．第一電離能Ga＞As
          （3）GaAs是由（CH3）3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是
          非極性分子
          非極性分子
          （填“極性分子”或“非極性分子”）．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          （4）如圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
          （1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。
          （2）下列說法正確的是            （選填序號(hào)）。
          A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素    B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體 
          C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As 
          （3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是   （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為         。
          Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：
          （1）晶體中Ca2+的配位數(shù)為             。
          （2）已知Ca2+的半徑為a cm，O2-的半徑為b cm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，
          該晶體的密度為         g/cm3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）
           
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2010-2011學(xué)年江蘇省高三第一次模擬考試化學(xué)試卷
				題型：填空題
			
          

						
          Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
          


          （1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          
。
          


          （2）下列說法正確的是           
 （選填序號(hào)）。
          


          A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素    B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體 
          


          C．電負(fù)性：As＞Ga                  
D．第一電離能Ga＞As 
          


          （3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是   （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為         。
          


          Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：
          


          


          （1）晶體中Ca2+的配位數(shù)為             
。
          


          （2）已知Ca2+的半徑為a cm，O2-的半徑為b cm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，
          


          該晶體的密度為         
g/cm3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）
          


           
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：同步題
				題型：填空題
			
          

						
          請(qǐng)完成下列各題：
          (1)前四周期元素中，基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)與其所在周期數(shù)相同的元素有________種。 
          (2)第ⅢA、VA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為_________。在GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與________個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為_________。在四大晶體類型中，GaN屬于_______晶體。
          (3)在極性分子NCl3中，N原子的化合價(jià)為-3，Cl原子的化合價(jià)為+1，請(qǐng)推測NCl3水解的主要產(chǎn)物是_________（填化學(xué)式）。 
          

			
          

			
          
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