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        1. 下列有關(guān)分子晶體熔點(diǎn)的高低敘述中,正確的是(  )。
          A.Cl2>I2B.SiCl4>CCl4
          C.N2>O2D.C(CH34>CH3CH2CH2CH2CH3
          B
          A、B、C、D選項(xiàng)中均無氫鍵,且都為分子晶體,物質(zhì)結(jié)構(gòu)相似,相對分子質(zhì)量大的熔點(diǎn)高,故A、C錯誤,B正確;D中相對分子質(zhì)量相同的同分異構(gòu)體,支鏈越多,熔點(diǎn)越低,故D錯誤。
          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          [物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
          已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型常見氣態(tài)氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素,Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28,且次外層有2個未成對電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M(M可看做一種含氧酸鹽)。M有顯著的“壓電性能”,應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析,M晶體的最小重復(fù)單位為正方體(如右圖),頂點(diǎn)位置為Z4所占,體心位置為Ba2所占,所有棱心位置為O2-所占。

          (1)Y在周期表中位于______________;Z4的核外電子排布式為______________;
          (2)X的該種氫化物分子構(gòu)型為___________,X在該氫化物中以___________方式雜化。X和Y形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該_____(填“高于”或 “低于”)X的該氫化物的熔點(diǎn)。
          (3)①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________;
          ②在M晶體中,若將Z4置于立方體的體心,Ba2置于立方體的頂點(diǎn),則O2處于立方體的______;
          ③在M晶體中,Z4的氧配位數(shù)為________;

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列說法中正確的是(NA為阿伏加德羅常數(shù))(  )
          A.28 g晶體硅中含有Si—Si鍵的個數(shù)為2NA
          B.124 g白磷(P4)晶體中含有P—P鍵的個數(shù)為4NA
          C.12 g金剛石中含有C—C鍵的個數(shù)為4NA
          D.SiO2晶體中每1 mol Si可與氧原子形成2NA個共價(jià)鍵(Si—O鍵)

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          最近科學(xué)家成功地制成了一種新型的碳氧化合物,該化合物晶體中每個碳原子均以四個共價(jià)單鍵與氧原子結(jié)合為一種空間網(wǎng)狀的無限伸展結(jié)構(gòu),下列對該晶體敘述錯誤的是(  )。
          A.該物質(zhì)的化學(xué)式為CO4
          B.晶體的熔、沸點(diǎn)高,硬度大
          C.晶體中C原子數(shù)與C—O鍵數(shù)之比為1∶4
          D.晶體的空間最小環(huán)共由12個原子所構(gòu)成

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          物質(zhì)的非晶體能自動轉(zhuǎn)變?yōu)榫w,而晶體卻不能自動地轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷w,這說明(  )。
          A.非晶體是不穩(wěn)定的,處于晶體時(shí)能量小
          B.晶體是穩(wěn)定的,處于晶體時(shí)能量大
          C.非晶體是不穩(wěn)定的,處于晶體時(shí)能量小
          D.晶體是不穩(wěn)定的,處于晶體時(shí)能量小

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          氮化硅是一種新合成的超硬、耐磨、耐高溫的材料。下列對氮化硅的敘述中,正確的是(  )。
          A.氮化硅是分子晶體
          B.氮化硅是原子晶體
          C.氮化硅是離子晶體
          D.氮化硅化學(xué)式為Si4N3

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          要使金屬晶體熔化必須破壞其中的金屬鍵。金屬晶體熔、沸點(diǎn)高低和硬度大小一般取決于金屬鍵的強(qiáng)弱,而金屬鍵的強(qiáng)弱與金屬陽離子所帶電荷的多少及半徑大小相關(guān)。由此判斷下列說法正確的是(  )。
          A.金屬鎂的硬度大于金屬鋁
          B.堿金屬單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)從Li到Cs是逐漸增大的
          C.金屬鎂的熔點(diǎn)大于金屬鈉
          D.金屬鎂的硬度小于金屬鈣

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列敘述不正確的是( 。
          A.金剛石、碳化硅、晶體硅的熔點(diǎn)依次降低
          B.CaO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似,每個CaO晶胞中含有4個Ca2和4個O2
          C.設(shè)NaCl的摩爾質(zhì)量為M g·mol-1,NaCl的密度為ρ g·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA mol-1,在NaCl晶體中,兩個距離最近的Cl中心間的距離為·cm
          D.X、Y可形成立方晶體結(jié)構(gòu)的化合物,其晶胞中X占據(jù)所有棱的中心,Y位于頂角位置,則該晶體的組成式為XY3

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列各項(xiàng)中,理由、結(jié)論及因果關(guān)系均正確的是
          選項(xiàng)
          理由
          結(jié)論
          A
          鍵能:N≡N>Cl-Cl
          單質(zhì)沸點(diǎn):N2>Cl2
          B
          分子中可電離的H+個數(shù):H2SO4>CH3COOH
          酸性:H2SO4>CH3COOH
          C
          元素的非金屬性:N>P
          酸性:HNO3>H3PO4
          D
          氧化性:Fe3+>Cu2+
          還原性:Fe2+>Cu
           

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