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        1. 單匝閉合線框在勻強磁場中,繞垂直于磁場方向的轉(zhuǎn)軸OO′勻速轉(zhuǎn)動,在轉(zhuǎn)動過程中,穿過線框的最大磁通量為Φm,線框中的最大感應(yīng)電動勢為Em,下列說法中正確的是

          A.在穿過線框的磁通量為的時刻,線框中的感應(yīng)電動勢為
          B.在穿過線框的磁通量為的時刻,線框中的感應(yīng)電動勢為
          C.線框每轉(zhuǎn)動一周,線框中的感應(yīng)電流方向改變一次
          D.線框轉(zhuǎn)動的角速度為

          BD

          解析試題分析:閉合線框在勻強磁場中繞垂直于磁場方向的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動,若從中性面開始計時,穿過線框的磁通量Φ按余弦規(guī)律變化,線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢按正弦規(guī)律變化,在穿過線框的磁通量為的時刻,線框中的感應(yīng)電動勢大于,A錯誤;在穿過線框的磁通量為的時刻,線框中的感應(yīng)電動勢等于,B項正確;線框每轉(zhuǎn)動一周,線框中感應(yīng)電流的方向改變兩次,C錯誤;由EmBSωΦmω解得線框轉(zhuǎn)動的角速度為ω,D正確.
          故選BD
          考點:考查了交流電的產(chǎn)生原理
          點評:本題就是考查學(xué)生對最大感應(yīng)電動勢為和最大磁通量的理解,應(yīng)用公式可直接求出.

          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來源: 題型:

          (2008?北京)均勻?qū)Ь制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長為L,總電阻為R,總質(zhì)量為m,將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行,當(dāng)cd邊剛進入磁場時.
          (1)求cd兩點間的電勢差大;
          (2)若此時線框加速度恰好為零,求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件.

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          (2013?永康市模擬)均勻?qū)Ь制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長L=0.1m,總電阻R=0.1Ω,總質(zhì)量為m=0.1kg.將其置于磁感強度B=1.0T的水平勻強磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行,取g=10m/s2
          (1)當(dāng)cd邊剛進入磁場時,線框做勻速直線運動,求線框下落的高度h;
          (2)線框進入磁場過程中的電功率P;
          (3)若磁場的寬度等于L,從cd剛進入磁場到ab完全離開磁場的過程中,試在答題卷的坐標紙中畫出cd兩點間的電勢差Ucd與時間的關(guān)系圖線,在圖象中注明關(guān)鍵點的數(shù)據(jù)(不要求書寫求解過程);
          (4)為了減小下落的高度就能使線框剛進入磁場時就做勻速直線運動,三個同學(xué)各自提出了方案:
          甲:用同種規(guī)格的導(dǎo)線,做成邊長為2L的單匝線框;
          乙:用同種材料但粗一些的導(dǎo)線,做成邊長仍為L的單匝線框;
          丙:用同種規(guī)格的導(dǎo)線,做成邊長仍為L的雙匝線框;
          對上述三位同學(xué)的方案,請給出你的評價.

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          科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年江西省高三聯(lián)合考試理綜物理卷(解析版) 題型:選擇題

          如圖所示,由粗細均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是

          A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應(yīng)電流的方向為a→b→c→d→a        

          B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為

          C.線圈在磁場以上,下落的高度為

          D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

           

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          如圖所示,由粗細均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是

          A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應(yīng)電流的方向為abcda    

          B.線圈ab邊剛進入磁場時,ab兩點間的電壓為

          C.線圈在磁場以上,下落的高度為

          D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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          科目:高中物理 來源:2012屆江西省贛州三中、于都中學(xué)高三聯(lián)合考試理綜物理卷(帶解析) 題型:單選題

          如圖所示,由粗細均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是

          A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應(yīng)電流的方向為a→b→c→d→a
          B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為
          C.線圈在磁場以上,下落的高度為
          D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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          同步練習(xí)冊答案