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        1. (2012?邯鄲模擬)如圖所示為某一儀器的部分原理示意圖,虛線OA、OB關(guān)于y軸對稱,且∠AOB=90°,OA、OB將xOy平面分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區(qū)域,區(qū)域Ⅰ、Ⅲ內(nèi)存在水平方向的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度大小均為E、方向相反.現(xiàn)有質(zhì)量為m,電量為+q(q>0)的大量帶電粒子從x軸上的粒子源P處以速度v0沿y軸正方向射出,到達(dá)OA上的M點(diǎn)時速度與OA垂直.(不計(jì)粒子的重力及粒子間的相互作用)求:
          (1)粒子從P點(diǎn)運(yùn)動到M點(diǎn)的時間;
          (2)為使粒子能從M點(diǎn)經(jīng)Ⅱ區(qū)域通過OB上的N點(diǎn),M、N點(diǎn)關(guān)于y軸對稱,可在區(qū)域Ⅱ內(nèi)加一垂直xOy平面的勻強(qiáng)磁場,求該磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的最小值和粒子經(jīng)過區(qū)域Ⅲ到達(dá)x軸上Q點(diǎn)的橫坐標(biāo);
          (3)當(dāng)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度取(2)問中的最小值時,且該磁場僅分布在區(qū)域Ⅱ內(nèi)的一個圓形區(qū)域內(nèi).由于某種原因的影響,粒子經(jīng)過M點(diǎn)時的速度并不嚴(yán)格與OA垂直,成散射狀,散射角為θ,但速度大小均相同,如圖所示.求所有粒子經(jīng)過OB時的區(qū)域長度.
          分析:(1)粒子在Ⅰ區(qū)域做類平拋運(yùn)動,有運(yùn)動位移可得時間
          (2)使粒子通過N點(diǎn)且磁感應(yīng)強(qiáng)度最小,則粒子在Ⅱ內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動半徑R=OM,粒子經(jīng)N點(diǎn)后進(jìn)入Ⅲ區(qū)域,做勻變速曲線運(yùn)運(yùn)動,有運(yùn)動分解知識求得到達(dá)x軸上Q點(diǎn)的橫坐標(biāo)
          (3)該圓形磁場區(qū)域的半徑r等于其軌跡圓半徑R,分別作出兩邊緣狀態(tài)的軌跡圖,由幾何關(guān)系求解
          解答:解:(1)粒子在Ⅰ區(qū)內(nèi)做類平拋運(yùn)動,設(shè)運(yùn)動的時間為t
          則:vx=
          Eq
          m
          t

          vx=v0
          由 ①②兩式得:t=
          mv0
          Eq

          (2)粒子在Ⅰ區(qū)內(nèi)y方向的位移:y=v0t
          OM=
          2
          y

          使粒子通過N點(diǎn)且磁感應(yīng)強(qiáng)度最小,則粒子在Ⅱ內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動半徑R=OM④
          由③④⑤式,可得:R=
          2
          m
          v
          2
          o
          qE

          又由洛侖茲力和牛頓第二定律可得,BqvM=
          m
          v
          2
          M
          R

          vM=
          2
          v0

          由上式可得:B=
          E
          v0

          粒子進(jìn)入Ⅲ區(qū)后,運(yùn)動的軌跡PM與QN對稱,故:OQ=OP⑨
          OP=v0t+
          1
          2
          v0t
          =10 ⑩
          得:OQ=
          3mv02
          2Eq

          故:Q點(diǎn)的坐標(biāo)為(
          3mv02
          2Eq
          ,0)
          (3)該圓形磁場區(qū)域的半徑r等于其軌跡圓半徑R,即:
          r=R=
          2
          v
          0
          t

          所有粒子出磁場時速度方向平行,其落點(diǎn)在直線OB上的GH兩點(diǎn)之間,如圖:
          GH=2rsinθ=
          2
          2
          mv02sinθ
          Eq

          答:(1)t=
          mv0
          Eq
          ;(2)Q點(diǎn)的坐標(biāo)為(
          3mv02
          2Eq
          ,0);(3)
          2
          2
          mv02sinθ
          Eq
          點(diǎn)評:本題考查帶電粒子在電場和磁場中的運(yùn)動,關(guān)鍵理清粒子的運(yùn)動軌跡,以及運(yùn)動的情況,結(jié)合幾何關(guān)系進(jìn)行求解.
          練習(xí)冊系列答案
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          3
          ,畫出形成兩光斑的光路圖,并求此玻璃磚的厚度d.

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          ①勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E=Fcosθ/q;
          ②AB兩點(diǎn)的電勢差為Fdcosθ/q;
          ③帶電小球由A運(yùn)動至B過程中電勢能增加了Fdcosθ;
          ④若帶電小球由B向A做勻速直線運(yùn)動,則F必須反向.

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