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來自質子源的質子（初速度為零），經(jīng)一直線加速器加速，形成電流I的細柱形質子流，巳知質子源與靶間的距離為d，質子質量為m，電荷量為e．假定分布在質子源到靶之間的加速電場是均勻的，且質子源到靶之間的電壓為U，則質子源與靶間的質子數(shù)為（　�。�

來自質子源的質子（初速度為零），經(jīng)一加速電壓為800kV的直線加速器加速，形成電流強度為1mA的細柱形質子流，已知質子的電荷量e=1.60×10^-19C．
（1）求這束質子流每秒打在靶上的質子數(shù)n；
（2）假定分布在質子源到靶之間的加速電場是均勻的，在質子流中與質子源相距l(xiāng)和4l的兩處，各取一段極短的相等長度的質子流，設其中的質子數(shù)分別為n₁和n₂，求

n1

n2

．

來自質子源的質子（初速度為零），經(jīng)一加速電壓為U的直線加速器加速，形成電流強度為I的細柱形質子流．假定分布在質子源到靶之間的加速電場是均勻的．在質子束中與質子源相距L和9L的兩處，各取一段極短的相等長度的質子流，其中的質子數(shù)之比為（　�。�

來自質子源的質子（初速度為零），經(jīng)一加速電壓為800kV的直線加速器加速，形成電流強度為1mA的細柱形質子流，已知質子電荷量e=1.60×10^-19 C，這束質子流每秒打在靶上的質子數(shù)為．