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        1. 15.如圖所示.質(zhì)量為m.邊長為L的正方形線框從某一高度自由落下后.通過一高度也為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域.則線框通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱 A.可能大于2mgL B.可能等于2mgL C.可能小于2mgL D.可能為零 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          如圖所示,質(zhì)量為m,邊長為L的正方形線框從某一高度自由落下后,通過一高度也為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域.則線框通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱(  )

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          如圖所示,質(zhì)量為m,邊長為L的正方形線框,在有界勻強(qiáng)磁場上方h高處由靜止自由下落,線框的總電阻為R,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場寬度為2L.線框下落過程中,ab邊始終與磁場邊界平行且處于水平方向.已知ab邊剛穿出磁場時(shí)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng).求:
          (1)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)線框的速度;?
          (2)線框穿過磁場的過程中,產(chǎn)生的焦耳熱.

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          如圖所示,質(zhì)量為m,邊長為L的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場的上方h高度處由靜止自由下落,磁場高度為H,線框下落過程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場邊界都沿水平方向

          (1)請證明線框進(jìn)入磁場的過程中任意時(shí)刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率;

          (2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd邊進(jìn)入磁場時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng),求cd邊剛穿出磁場時(shí)線框的加速度大;(g取10m/s2)。

          (3)在(2)中,若線框剛進(jìn)入磁場時(shí)對其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng),請?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場的過程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像。

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          如圖所示,質(zhì)量為m,邊長為L的正方形線框從某一高度自由落下后,通過一高度也為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域.則線框通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱( 。
          A.可能大于2mgLB.可能等于2mgL
          C.可能小于2mgLD.可能為零
          精英家教網(wǎng)

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          如圖所示,質(zhì)量為m,邊長為L的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場的上方h高度處由靜止自由下落,磁場高度為H,線框下落過程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場邊界都沿水平方向
          (1)請證明線框進(jìn)入磁場的過程中任意時(shí)刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率;
          (2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd邊進(jìn)入磁場時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng),求cd邊剛穿出磁場時(shí)線框的加速度大小;(g取10m/s2)。
          (3)在(2)中,若線框剛進(jìn)入磁場時(shí)對其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng),請?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場的過程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像。
           

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