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				圖甲中bacd為導體作成的框架.其平面與水平面成θ角.質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab.cd接觸良好.回路的電阻為R.整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中.磁感應(yīng)強度的變化如圖乙.PQ始終靜止.在0―ts內(nèi).PQ受到的摩擦力的變化情況可能是A.f一直增大             B.f一直減小C.f先減小后增大           D.f先增大后減小			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
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          圖甲中bacd為導體作成的框架，其平面與水平面成θ角。質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的總電阻為R，整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中，磁感應(yīng)強度的變化如圖乙所示。已知PQ始終靜止，則在0~t0s內(nèi)，PQ受到的摩擦力f的變化情況可能是
          A．f一直增大  
          B．f一直減小
          C．f先減小后增大
          D．f先增大后減小
          

			
          
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          圖甲中bacd為導體作成的框架，其平面與水平面成θ角，質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中，磁感應(yīng)強度的變化如圖乙，PQ始終靜止，在0－ts內(nèi)，PQ受到的摩擦力的變化情況可能是：
          

          

          

          A．f一直增大
          

          

          B．f一直減小
          

          

          C．f先減小后增大
          

          

          D．f先增大后減小

          

          

			
          
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