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				(1)若d進入第2個磁場區(qū)域時.b以與a同樣的速度進入第1個磁場區(qū)域.求b穿過第1個磁場區(qū)域過程中增加的動能.(2)若a進入第2個磁場區(qū)域時.b恰好離開第1個磁場區(qū)域;此后a離開第2個磁場區(qū)域時.b又恰好進入第2個磁場區(qū)域.且a.b在任意一個磁場區(qū)域或無磁場區(qū)域的運動時間均相等.求a穿過第2個磁場區(qū)域過程中.兩導體棒產(chǎn)生的總焦耳熱Q.問所述的運動情況.求a穿出第k個磁場區(qū)域時的速率v.			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
          題目列表(包括答案和解析)
          

		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          （22分）如圖所示，在x軸下方的區(qū)域內(nèi)存在方向與y軸相同的勻強電場，電場強度為E.在x軸上方以原點O為圓心、半徑為R的半圓形區(qū)域內(nèi)存在勻強磁場，磁場的方向垂直于xy平面并指向紙面外，磁感應強度為B.y軸下方的A點與O點的距離為d，一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子從A點由靜止釋放，經(jīng)電場加速后從O點射入磁場．不計粒子的重力作用．

          （1）求粒子在磁場中運動的軌道半徑r.
          （2）要使粒子進入磁場之后不再經(jīng)過x軸，電場強度需大于或等于某個值E0，求E0.
          （3）若電場強度E等于第（2）問E0的，求粒子經(jīng)過x軸時的位置．
          

			
          
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          如圖所示，在x軸下方的區(qū)域內(nèi)存在方向與y軸相同的勻強電場，電場強度為E．在x軸上方以原點O為圓心、半徑為R的半圓形區(qū)域內(nèi)存在勻強磁場，磁場的方向垂直于xy平面并指向紙面外，磁感應強度為B．y軸下方的A點與O點的距離為d．一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子從A點由靜止釋放，經(jīng)電場加速后從O點射入磁場．不計粒子的重力作用．
          （1）求粒子在磁場中運動的軌道半徑r．
          （2）要使粒子進入磁場之后不再經(jīng)過x軸，電場強度需大于或等于某個值E0．求E0．
          （3）若電場強度E等于第（2）問E0的
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          ，求粒子經(jīng)過x軸時的位置．
          精英家教網(wǎng)
          

			
          
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          如圖所示，在x軸下方的區(qū)域內(nèi)存在方向與y軸相同的勻強電場，電場強度為E．在x軸上方以原點O為圓心、半徑為R的半圓形區(qū)域內(nèi)存在勻強磁場，磁場的方向垂直于xy平面并指向紙面外，磁感應強度為B．y軸下方的A點與O點的距離為d．一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子從A點由靜止釋放，經(jīng)電場加速后從O點射入磁場．不計粒子的重力作用．
          （1）求粒子在磁場中運動的軌道半徑r．
          （2）要使粒子進入磁場之后不再經(jīng)過x軸，電場強度需大于或等于某個值E．求E．
          （3）若電場強度E等于第（2）問E的，求粒子經(jīng)過x軸時的位置．

          

			
          
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          精英家教網(wǎng)如圖所示，水平線MN的上方區(qū)域是場強大小為E的勻強電場，其方向指向右上方向且與MN的夾角θ=45°，水平線MN的下方是有一定高度的磁感應強度為B的勻強磁場，其方向垂直紙面向外．一個不計重力的帶負電的粒子，從MN上的O點，以v0的初速度沿電場方向射入勻強電場．已知粒子的電量為q，質(zhì)量為m，求：
          （1）要使粒子離開勻強電場后能夠再次返回勻強電場，勻強磁場的高度d至少為多少？
          （2）若水平虛線MN下方的勻強磁場是足夠高，求粒子離開O點后第一次回到水平線MN進入磁場到第二次回到MN的過程，所用的時間t1為多少？
          （3）粒子第二次回到MN到第三次回到MN的過程，所用的時間t2為多少？
          

			
          
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          如圖所示，水平線MN的上方區(qū)域是場強大小為E的勻強電場，其方向指向右上方向且與MN的夾角θ=45°，水平線MN的下方是有一定高度的磁感應強度為B的勻強磁場，其方向垂直紙面向外．一個不計重力的帶負電的粒子，從MN上的O點，以v的初速度沿電場方向射入勻強電場．已知粒子的電量為q，質(zhì)量為m，求：
          （1）要使粒子離開勻強電場后能夠再次返回勻強電場，勻強磁場的高度d至少為多少？
          （2）若水平虛線MN下方的勻強磁場是足夠高，求粒子離開O點后第一次回到水平線MN進入磁場到第二次回到MN的過程，所用的時間t1為多少？
          （3）粒子第二次回到MN到第三次回到MN的過程，所用的時間t2為多少？

          

			
          
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