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        1. 23.如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi).存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II.兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形.(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子.求電子離開ABCD區(qū)域的位置.(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子.電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開.求所有釋放點(diǎn)的位置.(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)L/n.仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開.求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置. 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
          (1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
          (2)電子從電場(chǎng)Ⅱ出來后經(jīng)過多少時(shí)間到達(dá)X軸;
          (3)電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo).

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          如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
          L2
          4x
          的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)II.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力.求
          (1)從電場(chǎng)I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的位置;
          (2)由電場(chǎng)I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能;
          (3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向左移動(dòng)
          L
          n
          (n≥1),要使電子從x=-2L,y=0處離開電場(chǎng)區(qū)域II,在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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          精英家教網(wǎng)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)粒子所受重力).
          (1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置;
          (2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置;
          (3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)L/4,仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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          如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力).

          (1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.

          (2)在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.

          (3)若將左側(cè)電場(chǎng)Ⅱ整體水平向右移動(dòng)L/n(n≥1)仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D.處離開(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),求在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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          如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力).

          ①在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo).

          ②在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo)應(yīng)滿足的條件.

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