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				18．已知:制備純硅的主要步驟如下:①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅,②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2,③SiHCl3與過量H2在1000-1100℃反應(yīng)制得純硅.已知:SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng).在空氣中易自燃.請回答下列問題:			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
          題目列表(包括答案和解析)
          

		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          晶體硅是一種重要的非金屬材料．制備純硅的主要步驟如下：
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3：Si+3HCl
           300℃ 
          .
           
          SiHCl3+H2
          ③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請回答下列問題：
          （1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑
          ．
          （2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)-84.7℃），提純SiHCl3采用的方法為：
          分餾
          分餾
          ．
          （3）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：
          ①裝置B中的試劑是
          濃硫酸
          濃硫酸
          ，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：
          使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
          使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
          ．
          ②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
          英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
          高溫下，普通玻璃會(huì)軟化
          高溫下，普通玻璃會(huì)軟化
          ，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl
          ．
          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及
          先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
          先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
          ．
          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是
          bd
          bd

          a．碘水b．氯水c．NaOH溶液d．KSCN溶液e．Na2SO3溶液．
          

			
          
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          晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅：SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑．
          ②粗硅與干燥的Cl2反應(yīng)制得SiCl4：Si+2C12
            △  
          .
           
          SiCl4．
          ③SiCl4被過量的H2在1 000～1 100℃時(shí)還原制得純硅：SiCl4+2H2
            △  
          .
           
          Si+4HCl．
          某同學(xué)從資料中查知：SiCl4的熔點(diǎn)為-7O℃，沸點(diǎn)為57.6℃，且在潮濕的空氣中能發(fā)生水解反應(yīng)．該同學(xué)設(shè)計(jì)了如下制取純硅的實(shí)驗(yàn)裝置（熱源及夾持裝置已略去）．請回答下列問題：
          （1）使SiCl4從裝置B中逸出與H2充分混合，應(yīng)采取的措施是
          對裝置B水浴加熱
          對裝置B水浴加熱
          ．
          （2）裝置C不能采用普通玻璃管的原因是
          在1000-1100℃時(shí)普通玻璃管會(huì)軟化
          在1000-1100℃時(shí)普通玻璃管會(huì)軟化
          ，石英的化學(xué)式是
          SiO2
          SiO2
          ．
          （3）如果從裝置A中快速向裝置B中通入氣體，可能觀察到的現(xiàn)象是
          B中液面上方產(chǎn)生少量白霧，液體中有少量白色膠狀物生成
          B中液面上方產(chǎn)生少量白霧，液體中有少量白色膠狀物生成
          ．
          （4）為防止空氣污染，含有SiCl4的尾氣要通入盛有
          NaOH
          NaOH
          溶液的燒杯中，反應(yīng)的化學(xué)方程式為
          SiCl4+6NaOH=Na2SiO3+4NaCl+3H2O
          SiCl4+6NaOH=Na2SiO3+4NaCl+3H2O
          ．
          （5）為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度，還應(yīng)對該裝置進(jìn)行的改進(jìn)是
          在裝置A與B之間連接一盛有濃硫酸的洗氣瓶（或盛有堿石灰的干燥管）．
          在裝置A與B之間連接一盛有濃硫酸的洗氣瓶（或盛有堿石灰的干燥管）．
          ．
          

			
          
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           晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
          ②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HClSiHCl3+H2。
          ③SiHCl3與過量的H2在1000～1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
          已知SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
          請回答下列問題：
          （1）第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為____________________。
          （2）用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置已略去）：

          ①裝置B中的試劑是______________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_______________。
          ②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。
          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是_____________。
          a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液
          

			
          
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          晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下： 
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅?
          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HClEquation.3SiHCl3+H2?
          ③SiHCl3與過量H2在1 000～1 100 ℃反應(yīng)制得純硅?
          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。?
          請完成下列問題：?
          （1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為________________。?
          （2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0 ℃）中含有少量SiCl4（沸點(diǎn)57.6 ℃）和HCl（沸點(diǎn)－84.7 ℃），提純SiHCl3采用的方法為：________________。
          （3）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：?
          ①裝置B中的試劑是________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：________________。?
          ②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為________________________。?
          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。?
          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號(hào)）是________。?
          a.碘水　
          b.氯水　
          c.NaOH溶液　
          d.KSCN溶液　
          e.Na2SO3溶液
          

			
          
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          晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下： 
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
          ③SiHCl3與過量H2在1 000—1 100 ℃反應(yīng)制得純硅
          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
          請完成下列問題：
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為______________________________。
          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7 ℃)，提純SiHCl3采用的方法為_____________________。
          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)：
          ①裝置B中的試劑是_______________________。裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是___________________________________。
          ②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________________________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________________________________。
          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。
          

			
          
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          一．單項(xiàng)選擇
          1．D  2．A   3．B   4．B   5．D  6．C  7．B   8．A
          二．不定項(xiàng)選擇
          9．A  10．BC  11．AD  12．AC   13．CD   14．B   15．C   16．D  
          三．（本題包括2小題，共22分）
          17．①③⑤⑦（6分）  說明：漏選、錯(cuò)選一個(gè)均扣2分，扣完為止
          18．⑴分餾（或蒸餾）（2分）
          ⑵①濃硫酸（1分）  使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化（2分）
          ②有固體物質(zhì)生成（1分）  在1000～1100℃的反應(yīng)溫度下，普通玻璃會(huì)軟化（1分）   
          SiHCl3＋H2Si＋3HCl（3分）
          ③排盡裝置中的空氣（2分）
          ④將試樣用稀鹽酸溶解，靜置取上層清液，加入氯水后再滴加幾滴KSCN溶液，觀察是否有紅色溶液生成。（4分）
          說明：只要方案設(shè)計(jì)簡單，現(xiàn)象明顯，合理均可得分。
          四．（本題包括2小題，共19分）
          19．⑴第三周期第VIA族（2分）
          ⑵C3N4（2分）  大于（1分）
          ⑶2Al＋2OH－＋2H2O＝2AlO2－＋3H2↑（3分）
          20．⑴NaCl（2分）
          ⑵降低X、Y熔化時(shí)的溫度，節(jié)約能源（2分）
          ⑶用作干燥劑（1分）
          ⑷2Cl2＋Ca(OH)2＝CaCl2＋Ca(ClO)2＋2H2O（3分）
          2Na2O2＋2H2O＝4NaOH＋O2（3分）
          五．（本題包括1小題，共9分）
          21．⑴ ＜（3分）
          ⑵2C2H6(g)＋7O2(g)＝4CO2(g)＋6H2O(g)；ΔH＝－3121.6KJ/mol
（3分）
          ⑶越少（3分）
          六、（本題包括2小題，共18分）
          22．⑴（2分）
          ⑵（2分）
          （2分）
          ⑶  （1分） （1分）
          23．⑴NaOH溶液、△（2分）    濃硫酸 、△（2分）
          ⑵A：     （2分） F： （2分）
          ⑶2＋O22 ＋2H2O（2分）
          七、（本題包括2小題，共18分）
          24．⑴1:1（2分）   
          ⑵0.71（3分）
          ⑶6g（3分）
          25．⑴2.75mol/L（3分）
          ⑵0（3分）
          解析：設(shè)12.8g的樣品中CuS的物質(zhì)的量為x
，Cu2S的物質(zhì)的量為y
          96x＋160y＝12.8
                    
8x/3＋10y/3＝0.3
          解得：x＝y(tǒng)＝0.05mol
          根據(jù)方程式①、②可知消耗n(H＋)＝0.05mol×8/3＋0.05mol×16/3＝0.4mol
          故剩余n(H＋)＝0.1mol，c(H＋)＝1mol/L  pH＝0
          ⑶11.2L（4分）
          解析：首先判斷64g樣品中CuS、Cu2S的物質(zhì)的量為0.25mol
          本題采用極端假設(shè)：                                                
          若HNO3均與CuS反應(yīng)：硝酸不足，則V(NO)＝0.5mol×22.4L/mol＝11.2L
          若HNO3均與Cu2S反應(yīng)：硝酸不足，則V(NO)＝0.5mol×22.4L/mol＝11.2L
          所以：c中產(chǎn)生氣體體積（V）等于11.2L。
           
           
          		
          
	
          
	
          
		
          


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