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2.1g 和組成混合氣體與足量的充分反應(yīng)后，立即通入足量的固體中，固體質(zhì)量增加

A、2.1g      B、3.6 g       C、7.2 g        D、不可確定

2.1g 和組成混合氣體與足量的充分反應(yīng)后，立即通入足量的固體中，固體質(zhì)量增加           （     ）

A、2.1g      B、3.6 g       C、7.2 g        D、不可確定

（7分）根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)定硫酸銅晶體中結(jié)晶水含量的實(shí)驗(yàn)，填寫(xiě)以下空白。

（1）除下列提供的儀器外，要完成本實(shí)驗(yàn)還需要補(bǔ)充的儀器是                  。

(A)托盤(pán)天平（包括砝碼）；(B) 酒精燈；(C)玻璃棒；(D)坩堝；(E) 干燥器；(F) 石棉網(wǎng)；

(G) 三腳架；(H) 藥匙；(I)坩堝鉗。

（2）實(shí)驗(yàn)后得到以下數(shù)據(jù)：

　　a、 加熱前質(zhì)量：W₁(容器)＝5.4g；W₂₍容器十晶體)＝7.9g；

　　b、加熱后質(zhì)量：W₃(容器十無(wú)水硫酸銅)＝6.8g。

請(qǐng)寫(xiě)出結(jié)晶水含量——質(zhì)量分?jǐn)?shù)的計(jì)算式(用W_l、W₂、W₃表示)：___             ___，

這一結(jié)果是偏高還是偏低?____          ___。

　（3）從下列分析中選出造成實(shí)驗(yàn)誤差的原因可能是(填寫(xiě)字母)________。

　　A．加熱前稱(chēng)量時(shí)容器未完全干燥　 　B．最后兩次加熱后質(zhì)量相差較大(＞0.1g)

　 C．加熱后容器未放入干燥器中冷卻　 D．加熱過(guò)程中晶體有少量濺失

（7分）根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)定硫酸銅晶體中結(jié)晶水含量的實(shí)驗(yàn)，填寫(xiě)以下空白。

（1）除下列提供的儀器外，要完成本實(shí)驗(yàn)還需要補(bǔ)充的儀器是                   。

(A)托盤(pán)天平（包括砝碼）；(B) 酒精燈；(C) 玻璃棒；(D)坩堝；(E) 干燥器；(F) 石棉網(wǎng)；

(G) 三腳架；(H) 藥匙；(I) 坩堝鉗。

（2）實(shí)驗(yàn)后得到以下數(shù)據(jù)：

　　a、 加熱前質(zhì)量：W₁(容器)＝5.4g；W₂₍容器十晶體)＝7.9g；

　　b、加熱后質(zhì)量：W₃(容器十無(wú)水硫酸銅)＝6.8g。

請(qǐng)寫(xiě)出結(jié)晶水含量——質(zhì)量分?jǐn)?shù)的計(jì)算式(用W_l、W₂、W₃表示)：___              ___，

這一結(jié)果是偏高還是偏低?____          ___。

�。�3）從下列分析中選出造成實(shí)驗(yàn)誤差的原因可能是(填寫(xiě)字母)________。

　　A．加熱前稱(chēng)量時(shí)容器未完全干燥　 　B．最后兩次加熱后質(zhì)量相差較大(＞0.1g)

　  C．加熱后容器未放入干燥器中冷卻　 D．加熱過(guò)程中晶體有少量濺失

根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)定硫酸銅晶體中結(jié)晶水含量的實(shí)驗(yàn)，填寫(xiě)以下空白。

（1）除下列提供的儀器外，要完成本實(shí)驗(yàn)還需要補(bǔ)充的儀器是                   。

(A)托盤(pán)天平（包括砝碼）；(B) 酒精燈；(C) 玻璃棒；(D)坩堝；(E) 干燥器；(F) 石棉網(wǎng)；

(G) 三腳架；(H) 藥匙；(I) 坩堝鉗。

（2）實(shí)驗(yàn)后得到以下數(shù)據(jù)：

　　a、 加熱前質(zhì)量：W₁(容器)＝5.4g；W₂₍容器十晶體)＝7.9g；

　　b、加熱后質(zhì)量：W₃(容器十無(wú)水硫酸銅)＝6.8g。

請(qǐng)寫(xiě)出結(jié)晶水含量——質(zhì)量分?jǐn)?shù)的計(jì)算式(用W_l、W₂、W₃表示)：___              ___，

這一結(jié)果是偏高還是偏低?____          ___。

�。�3）從下列分析中選出造成實(shí)驗(yàn)誤差的原因可能是(填寫(xiě)字母)________。

　　A．加熱前稱(chēng)量時(shí)容器未完全干燥　 　B．最后兩次加熱后質(zhì)量相差較大(＞0.1g)

　  C．加熱后容器未放入干燥器中冷卻　 D．加熱過(guò)程中晶體有少量濺失