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				如圖3中的甲所示.abcd為導體做成的框架.其平面與水平面成角.質(zhì)量為m的導體棒PQ與ad.bc接觸良好.回路的總電阻為R.整個裝置放在垂直于框架平面的變化磁場中.磁場的磁感應強度B隨時間t的變化情況如圖3中的乙所示(設圖甲中B的方向為正方向).若PQ始終靜止.關于PQ與框架間的摩擦力在0-時間內(nèi)的變化情況.以下對摩擦力變化情況的判斷可能的是(  )A.一直增大 B.一直減小 C.先減小后增大 D.先增大后減小			【查看更多】
			


		
           
          


		
          
		
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           如圖3中的甲所示，ａｂｃｄ為導體做成的框架，其平面與水平面成角，質(zhì)量為ｍ的導體棒ＰＱ與ａｄ、ｂｃ接觸良好，回路的總電阻為Ｒ，整個裝置放在垂直于框架平面的變化磁場中，磁場的磁感應強度Ｂ隨時間ｔ的變化情況如圖3中的乙所示（設圖甲中Ｂ的方向為正方向）。若ＰＱ始終靜止，關于ＰＱ與框架間的摩擦力在0-時間內(nèi)的變化情況，以下對摩擦力變化情況的判斷可能的是（　　　）
          A.一直增大　　B.一直減小　　C.先減小后增大　　D.先增大后減小
             
           
          

			
          
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           如圖3中的甲所示，ａｂｃｄ為導體做成的框架，其平面與水平面成角，質(zhì)量為ｍ的導體棒ＰＱ與ａｄ、ｂｃ接觸良好，回路的總電阻為Ｒ，整個裝置放在垂直于框架平面的變化磁場中，磁場的磁感應強度Ｂ隨時間ｔ的變化情況如圖3中的乙所示（設圖甲中Ｂ的方向為正方向）。若ＰＱ始終靜止，關于ＰＱ與框架間的摩擦力在0-時間內(nèi)的變化情況，以下對摩擦力變化情況的判斷可能的是（　　�。�
          


          A.一直增大　　B.一直減小　　C.先減小后增大　　D.先增大后減小
          


             
          


           
          

			
          
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