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        1. (2)為得到硅.粗硅與HCl反應(yīng)生成化合物A.A中硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20.66%.寫出A的分子式 .(3)粗硅與HCl反應(yīng)后得到的液態(tài)A中;煊幸恍╇s質(zhì).必須進(jìn)行分離提純.其提純方法為 .(4)由A得到高純硅的化學(xué)方程式是 . 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.
          (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅.
          Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;
          Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450~500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4;
          Ⅲ.SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1 100~1 200℃條件下反應(yīng)制得高純硅.
          已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6℃,能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng).1mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2kJ.
          請(qǐng)回答下列問題:
          ①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
          2H2(g)+SiCl4(g)
           1100-1200℃ 
          .
           
          Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1
          2H2(g)+SiCl4(g)
           1100-1200℃ 
          .
           
          Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1

          ②整個(gè)制備純硅的過程中必須嚴(yán)格控制在無水無氧的條件下.SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是
          H2SiO3(或H4SiO4)和HCl
          H2SiO3(或H4SiO4)和HCl
          ;H2還原SiCl4過程中若混入O2,可能引起的后果是
          爆炸
          爆炸

          (2)二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃.工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示,則其中x=
          4
          4

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          硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣,請(qǐng)回答下列問題:

          (1)       制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

          焦炭

           

          HCl

           

          提純

           
           


          石英砂

           

          SiHCl3(精)

           

          SiHCl3(粗)

           

          573K以上

           

          粗硅

           

          高溫

           
               

           


          ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式                   。

          ②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水、無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式                             ;H2還原SiHCl3過程中若混02,可能引起的后果是                                      。

          (2)下列有關(guān)說法正確的是           (填字母)。

          A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

          B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

          C.普通玻璃的成分有純堿、石灰石和石英砂,其熔點(diǎn)很高

          D.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

          (3)取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入鹽酸溶液,振蕩,則反應(yīng)的離子方程式是                                                              。

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          多晶硅是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的重要原材料。
          (1)由石英砂可制取粗硅,其相關(guān)反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:
          SiO2(s)+C(s)=SiO(g)+CO(g) ΔH=a kJ·mol1
          2SiO(g)=Si(s)+SiO2(s) ΔH=b kJ·mol1
          ①反應(yīng)SiO2(s)+2C(s)=Si(s)+2CO(g)的ΔH=________ kJ·mol1(用含a、b的代數(shù)式表示)。
          ②SiO是反應(yīng)過程中的中間產(chǎn)物。隔絕空氣時(shí),SiO與NaOH溶液反應(yīng)(產(chǎn)物之一是硅酸鈉)的化學(xué)方程式為________________________________。
          (2)粗硅提純常見方法之一是先將粗硅與HCl制得SiHCl3,經(jīng)提純后再用H2還原:
          SiHCl3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g)。
          不同溫度及不同時(shí),反應(yīng)物X的平衡轉(zhuǎn)化率關(guān)系如圖所示。

          ①X是________(填“H2”或“SiHCl3”)。
          ②上述反應(yīng)的平衡常數(shù)K(1 150 ℃)________K(950 ℃)(填“>”、“<”或“=”)。
          (3)SiH4(硅烷)法生產(chǎn)高純多晶硅是非常優(yōu)異的方法。
          ①用粗硅作原料,熔融鹽電解法制取硅烷原理如圖所示,電解時(shí)陽極的電極反應(yīng)式為_________________________________________。

          ②硅基太陽電池需用N、Si兩種元素組成的化合物Y作鈍化材料,它可由SiH4與NH3混合氣體進(jìn)行氣相沉積得到,已知Y中Si的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%,Y的化學(xué)式為________。

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          多晶硅是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的重要原料。

          (1)由石英砂可制取粗硅,其相關(guān)反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:

          ①反應(yīng)SiO2(s)+2C(s)=Si(s)+2CO(g)的△H=     kJ·mol-1(用含a、b的代數(shù)式表示)。

          ②SiO是反應(yīng)過程中的中間產(chǎn)物。隔絕空氣時(shí),SiO與NaOH溶液反應(yīng)(產(chǎn)物之一是硅酸鈉)的化學(xué)方程式是           。

          (2)粗硅提純常見方法之一是先將粗硅與HCl制得SiHCl3,經(jīng)提純后再用H2還原:SiHCl3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g)不同溫度及不同n(H2)/n(SiHCl3)時(shí),反應(yīng)物X的平衡轉(zhuǎn)化率關(guān)系如圖;

          ①X是       (填“H2”、“SiHCl3”)。

          ②上述反應(yīng)的平衡常數(shù)K(1150℃)     K(950℃)(選填“>”、“<”、“=”)

          (3)SiH4(硅烷)法生產(chǎn)高純多晶硅是非常優(yōu)異的方法。

          ①用粗硅作原料,熔鹽電解法制取硅烷原理如圖10,電解時(shí)陽極的電極反應(yīng)式為      。

          ②硅基太陽電池需用N、Si兩種元素組成的化合物Y作鈍化材料,它可由SiH4與NH3混合氣體進(jìn)行氣相沉積得到,已知Y中Si的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%,Y的化學(xué)式為         。

           

           

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          多晶硅是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的重要原料。

          (1)由石英砂可制取粗硅,其相關(guān)反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:

          ①反應(yīng)SiO2(s)+2C(s)=Si(s)+2CO(g)的△H=     kJ·mol-1(用含a、b的代數(shù)式表示)。

          ②SiO是反應(yīng)過程中的中間產(chǎn)物。隔絕空氣時(shí),SiO與NaOH溶液反應(yīng)(產(chǎn)物之一是硅酸鈉)的化學(xué)方程式是           。

          (2)粗硅提純常見方法之一是先將粗硅與HCl制得SiHCl3,經(jīng)提純后再用H2還原:SiHCl3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g)不同溫度及不同n(H2)/n(SiHCl3)時(shí),反應(yīng)物X的平衡轉(zhuǎn)化率關(guān)系如圖;

          ①X是       (填“H2”、“SiHCl3”)。

          ②上述反應(yīng)的平衡常數(shù)K(1150℃)     K(950℃)(選填“>”、“<”、“=”)

          (3)SiH4(硅烷)法生產(chǎn)高純多晶硅是非常優(yōu)異的方法。

          ①用粗硅作原料,熔鹽電解法制取硅烷原理如圖10,電解時(shí)陽極的電極反應(yīng)式為      。

          ②硅基太陽電池需用N、Si兩種元素組成的化合物Y作鈍化材料,它可由SiH4與NH3混合氣體進(jìn)行氣相沉積得到,已知Y中Si的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%,Y的化學(xué)式為         。

           

           

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