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        1. HCl -84.0 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          實(shí)驗(yàn)室需要0.1 mol/L NaOH溶液450 mL和0.5 mol/L硫酸溶液450 mL.根據(jù)這兩種溶液的配制情況回答下列問題:

          (1)

          根據(jù)計(jì)算得知,所需質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%、密度為1.84 g/cm3的濃硫酸的體積為________mL(計(jì)算結(jié)果保留一位小數(shù)).

          (2)

          如圖所示的儀器中配制溶液肯定不需要的是________(填序號),儀器C的名稱是________,本實(shí)驗(yàn)所需玻璃儀器E的名稱為________

          (3)

          下列操作中,容量瓶所不具備的功能有(填序號).

          A.

          配制一定體積準(zhǔn)確濃度的標(biāo)準(zhǔn)溶液

          B.

          長期貯存溶液

          C.

          用來加熱溶解固體溶質(zhì)

          D.

          量取一定體積的液體

          (4)

          在配制NaOH溶液實(shí)驗(yàn)中,其他操作均正確.若定容時(shí)仰視刻度線,則所配制溶液濃度________0.1 mol/L(填“大于”“等于”或“小于”,下同).若NaOH溶液未冷卻即轉(zhuǎn)移至容量瓶定容,則所配制溶液濃度________0.1 mol/L.

          (5)

          下圖為實(shí)驗(yàn)室某濃鹽酸試劑瓶標(biāo)簽上的有關(guān)數(shù)據(jù),試根據(jù)標(biāo)簽上的有關(guān)數(shù)據(jù)回答下列問題:

          (1)該濃鹽酸中HCl的物質(zhì)的量濃度為________

          (2)取用任意體積的該鹽酸溶液時(shí),下列物理量中不隨所取體積的多少而變化的是________.

          A.溶液中HCl的物質(zhì)的量

          B.溶液的濃度

          C.溶液中Cl-的數(shù)目

          D.溶液的密度

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          晶體硅是一種重要的非金屬材料.制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl
           300℃ 
          .
           
          SiHCl3+H2
          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃.請回答下列問題:
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:
          分餾
          分餾

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
          ①裝置B中的試劑是
          濃硫酸
          濃硫酸
          ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:
          使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
          使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化

          ②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
          英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
          高溫下,普通玻璃會軟化
          高溫下,普通玻璃會軟化
          ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl

          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
          先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡
          先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是
          bd
          bd

          a.碘水b.氯水c.NaOH溶液d.KSCN溶液e.Na2SO3溶液.

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          28.晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:

          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2

          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅

          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。

          請回答下列問題:

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_______________________________。

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為____________________。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

          ①裝置B中的試劑是_________________________。

            裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________。

          ②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________________________________________。

          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及______________________________________。

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_________________。

          a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液    d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

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          晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:

          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:

          Si+3HClSiHCl3+H2

          ③SiHCl與過量H2在1 000—1 100℃反應(yīng)制得純硅

          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自然。

          請回答下列問題:

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為__________________________________________。

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為_______。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如圖1-3-8(熱源及夾持裝置略去):

          圖1-3-8

          ①裝置B中的試劑是_______。

          裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________________。

          ②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________。

          裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________________________。

          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_______。

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_______。

          a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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          (18分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:

           ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl    SiHCl3+H2

          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。

          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。

          請回答下列問題:

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                 。

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:            。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

          ①裝置B中的試劑是        ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:         。

          ②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是       ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是     ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為               。

          ③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及    。

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是          

          a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液     d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

           

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