將光敏電阻R.定值電阻R0.電流表.電壓表.開關(guān)和電源連接成如圖所示電路.光敏電阻的阻值隨光照強度的增大而減小.閉合開關(guān).逐漸增大光敏電阻的光照強度.觀察電表示數(shù)的變化情況應(yīng)該是A．A表示數(shù)變大.V表示數(shù)變小B．A表示數(shù)變小.V表示數(shù)變大C．A表和V表示數(shù)均變小D．A表和V表示數(shù)均變大題目和參考答案——青夏教育精英家教網(wǎng)—

將光敏電阻R、定值電阻R₀、電流表、電壓表、開關(guān)和電源連接成如圖所示電路，光敏電阻的阻值隨光照強度的增大而減小。閉合開關(guān)，逐漸增大光敏電阻的光照強度，觀察電表示數(shù)的變化情況應(yīng)該是（）

A．A表示數(shù)變大，V表示數(shù)變小	B．A表示數(shù)變小，V表示數(shù)變大
C．A表和V表示數(shù)均變小	D．A表和V表示數(shù)均變大

解析試題分析：據(jù)圖可知，兩電阻串聯(lián)，電壓表測量定值電阻兩端的電壓，當(dāng)增大光敏電阻的光照強度時，光敏電阻的阻值變小，所以串聯(lián)電路的總電阻變小，根據(jù)歐姆定律I=U/R可知，電路的電流變大，即電流表示數(shù)變小所以B、C錯誤；
根據(jù)U₂=IR₂可知，當(dāng)電流變大時，R₂兩端的電壓變大，即電壓表示數(shù)變大，所以A錯誤，D正確；
所以選擇D。
考點：串聯(lián)電路的電流、電壓、電阻規(guī)律歐姆定律及其應(yīng)用

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根據(jù)電路圖將下圖中的實物連成電路.

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（10分）閱讀短文，回答問題：
巨磁電阻效應(yīng)
1988年阿爾貝·費爾和彼得·格林貝格爾發(fā)現(xiàn)，在鐵、鉻相間的三層復(fù)合膜電阻中，微弱的磁場可以導(dǎo)致電阻大小的急劇變化，這種現(xiàn)象被命名為“巨磁電阻效應(yīng)”．
更多的實驗發(fā)現(xiàn)，并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應(yīng)”．組成三層膜的兩種金屬中，有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種，另一種是不易被磁化的其他金屬，才可能產(chǎn)生“巨磁電阻效應(yīng)”．進一步研究表明，“巨磁電阻效應(yīng)”只發(fā)生在膜層的厚度為特定值時．用R₀表示未加磁場時的電阻，R表示加入磁場后的電阻，科學(xué)家測得鐵、鉻組成的復(fù)合膜R與R₀之比與膜層厚度d（三層膜厚度均相同）的關(guān)系如乙圖所示．1994年IBM公司根據(jù)“巨磁電阻效應(yīng)”原理，研制出“新型讀出磁頭”，將磁場對復(fù)合膜阻值的影響轉(zhuǎn)換成電流的變化來讀取信息．

（1）以下兩種金屬組成的三層復(fù)合膜可能發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”的是．

A．銅、銀

B．鐵、銅

C．銅、鋁

D．鐵、鎳

（2）對鐵、鉻組成的復(fù)合膜，當(dāng)膜層厚度是1.7nm時，這種復(fù)合膜電阻      （選填“具
有”或“不具有”）“巨磁電阻效應(yīng)”．
（3）“新型讀出磁頭”可將微弱的        信息轉(zhuǎn)化為電信息．
（4）鐵、鉻組成的復(fù)合膜，發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”時，其電阻R比未加磁場時的電阻R₀         （選填
“大”或“小”）得多．
（5）丙圖是硬盤某區(qū)域磁記錄的分布情況，其中1表示有磁區(qū)域，0表示無磁區(qū)域．將“新型讀出磁頭”組成如圖所示電路，當(dāng)磁頭從左向右勻速經(jīng)過該區(qū)域過程中，電流表讀數(shù)變化情況應(yīng)是丁圖中的       ．