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          一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。
          （1）每個晶胞種含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。
          （2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；
          （3）陽離子的配位數(shù)為_________，陰離子的配位數(shù)為________。
          （4）已知A的離子半徑為0.99×10－10m，則該晶胞的體積是_______________m3。
          （每空2分，共12分）
           
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          （1）4、8
          （2）CaF2
          （3）8、4
          （4）16r3
          解析:
           
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          一種離子晶體的晶胞如圖其中陽離子A以表示，陰離子B以表示．
          （1）每個晶胞中含A離子的數(shù)目為
          4
          4
          ，含B離子數(shù)目為
          8
          8
          ．
          （2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是
          CaF2
          CaF2
          ；
          （3）陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為
          8
          8
          ，陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)
          4
          4
          ．
          （4）已知A的離子半徑為r m，則該晶胞的體積是
          16
          		2
          r3 
          16
          		2
          r3 
          m3．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷
				題型：填空題
			
          

						
          （13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__    ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

          （2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

          （3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

          （4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
          化學(xué)鍵
          		Si—Cl
          		H—H
          		H—Cl
          		Si—Si
          鍵能/kJ·mol—1
          		360
          		436
          		431
          		176
          已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：
          SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
          則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2012-2013年湖北省仙桃市毛嘴高中高二上學(xué)期學(xué)業(yè)水平監(jiān)測試化學(xué)卷（帶解析）
				題型：填空題
			
          

						
          （6分）一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

          （1）每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。
          （2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；
          （3）陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為_____，陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)_____。
          （4）已知A的離子半徑為r m，則該晶胞的體積是 ___________m3。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2010年鄭州市高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題
				題型：填空題
			
          

						
          一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。
          


          


          （1）每個晶胞種含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。
          


          （2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；
          


          （3）陽離子的配位數(shù)為_________，陰離子的配位數(shù)為________。
          


          （4）已知A的離子半徑為0.99×10－10m，則該晶胞的體積是_______________m3。
          


          （每空2分，共12分）
          


           
          

			
          

			
          
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