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        1. 一種離子晶體的晶胞如圖其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示.
          (1)每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為
          4
          4
          ,含B離子數(shù)目為
          8
          8

          (2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是
          CaF2
          CaF2
          ;
          (3)陽(yáng)離子周?chē)嚯x最近的陰離子數(shù)為
          8
          8
          ,陰離子周?chē)嚯x最近的陽(yáng)離子數(shù)
          4
          4

          (4)已知A的離子半徑為r m,則該晶胞的體積是
          16
          2
          r3
          16
          2
          r3
          m3
          分析:(1)利用均攤法計(jì)算離子數(shù)目;
          (2)根據(jù)離子的化合價(jià)及與其電子層結(jié)構(gòu)相同的惰性氣體元素判斷該離子元素,從而寫(xiě)出其化學(xué)式;
          (3)陽(yáng)離子周?chē)嚯x最近的陰離子數(shù)為8,陰離子周?chē)嚯x最近的陽(yáng)離子數(shù)是4;
          (4)根據(jù)A離子的半徑金屬晶胞的邊長(zhǎng),再利用體積公式計(jì)算.
          解答:解:(1)每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目=8×
          1
          8
          +6×
          1
          2
          =4,含B離子數(shù)目為8,
          故答案為:4;8;
          (2)通過(guò)(1)知,該物質(zhì)的化學(xué)式為:AB2,A是金屬陽(yáng)離子,則A的化合價(jià)是+2價(jià),若A的核外電子排布與Ar相同,則A是Ca元素,B的化合價(jià)是-1價(jià),且B的電子排布與Ne相同,則B是F元素,則該離子化合物的化學(xué)式是CaF2,
          故答案為:CaF2
          (3)陽(yáng)離子周?chē)嚯x最近的陰離子數(shù)為8,陰離子周?chē)嚯x最近的陽(yáng)離子數(shù)是4,
          故答案為:8;4;
          (4)該晶胞中正方形對(duì)角線的長(zhǎng)度=4rm,則該晶胞的邊長(zhǎng)=2
          2
          rm,則該晶胞的體積=(2
          2
          rm)3=16
          2
          r3 m3,故答案為:16
          2
          r3
          點(diǎn)評(píng):本題考查了晶胞的有關(guān)計(jì)算,難點(diǎn)是配位數(shù)、晶胞體積的計(jì)算,注意晶胞邊長(zhǎng)不等于A離子直徑,為易錯(cuò)點(diǎn).
          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

          一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。

          (1)每個(gè)晶胞種含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。

          (2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;

          (3)陽(yáng)離子的配位數(shù)為_(kāi)________,陰離子的配位數(shù)為_(kāi)_______。

          (4)已知A的離子半徑為0.99×1010m,則該晶胞的體積是_______________m3

          (每空2分,共12分)

           

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題

          (13分)(1)下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類(lèi)型相同的是__    ___(請(qǐng)用相應(yīng)的編號(hào)填寫(xiě))

          (2)一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。若A的核外電子排布與Ar相同,B的核外電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;

          (3)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

          (4)通常人們把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

          化學(xué)鍵
          Si—Cl
          H—H
          H—Cl
          Si—Si
          鍵能/kJ·mol—1
          360
          436
          431
          176
          已知:工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取:
          SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
          則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013年湖北省仙桃市毛嘴高中高二上學(xué)期學(xué)業(yè)水平監(jiān)測(cè)試化學(xué)卷(帶解析) 題型:填空題

          (6分)一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。

          (1)每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。
          (2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;
          (3)陽(yáng)離子周?chē)嚯x最近的陰離子數(shù)為_(kāi)____,陰離子周?chē)嚯x最近的陽(yáng)離子數(shù)_____。
          (4)已知A的離子半徑為r m,則該晶胞的體積是 ___________m3。

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010年鄭州市高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題 題型:填空題

          一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以表示。

          (1)每個(gè)晶胞種含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______,含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。

          (2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;

          (3)陽(yáng)離子的配位數(shù)為_(kāi)________,陰離子的配位數(shù)為_(kāi)_______。

          (4)已知A的離子半徑為0.99×1010m,則該晶胞的體積是_______________m3。

          (每空2分,共12分)

           

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