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          2010年上海世博會主題是“城市，讓生活更美好”，下列有關世博會說法錯誤的是（　　）
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          分析：A．從氧化鋁的性質角度分析；
          B．乙醇燃燒生成二氧化碳和水，并不真正實現(xiàn)“二氧化碳零排放”；
          C．聚乙烯材料難以降解，形成白色污染；
          D．太陽能發(fā)電技術是將太陽能轉化為電能的裝置．
          解答：解：A．鋁易在表面形成一層致密的氧化鋁薄膜，阻礙反應進一步進行，可起到保護作用，故A正確；
          B．乙醇燃燒生成二氧化碳和水，并不真正實現(xiàn)“二氧化碳零排放”，故B錯誤；
          C．聚乙烯材料難以降解，形成白色污染，用可降解材料代替塑料殼減少白色污染，故C正確；
          D．太陽能發(fā)電技術是將太陽能轉化為電能的裝置，故D正確．
          故選B．
          點評：本題考查化學材料與環(huán)境保護，題目難度不大，注意常見相關基礎知識的積累．
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關習題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結構如圖．試回答：
          （1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          [Ar]3d104s24p1
          [Ar]3d104s24p1
          ．
          （2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為
          4
          4
          ，與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構型為
          正四面體
          正四面體
          ．
          （3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ． （用氫化物分子式表示）
          （4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          （5）比較二者的第一電離能：As
          ＞
          ＞
          Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
          （6）下列說法正確的是
          BCD
          BCD
          （填字母）．
          A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
          C．電負性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          2010年上海世博會場館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED晶片材質基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結構如圖．試回答：
          （1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          1s22s22p63d104s24p1
          1s22s22p63d104s24p1
          ．
          （2）比較二者的第一電離能：As
          ＞
          ＞
          Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
          （3）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為
          4
          4
          ，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為
          正四面體
          正四面體
          ．
          （4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          （5）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ．（用氫化物分子式表示）
          （6）下列說法正確的是
          BCD
          BCD
          （填字母）．
          A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同       B．GaP與GaAs互為等電子體
          C．電負性：As＞Ga                  D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2011?南京模擬）2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．砷化鎵的品胞結構如圖．試回答：
          （1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
          ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
          ．
          （2）砷化鎵品胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為
          4
          4
          ，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為
          正四面體
          正四面體
          ．
          （3）下列說法正確的是
          BCDE
          BCDE
          （填字母）．
          A．砷化鎵品胞結構與NaCl相同
          B．第一電離能：As＞Ga
          C．電負性：As＞Ga
          D．砷化鎵晶體中含有配位鍵
          E．GaP與GaAs互為等電子體
          （4）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ．
          （5）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2011?石景山區(qū)一模）2010年上海世博會的主題是“城市，讓生活更美好”．下列敘述中不正確的是（　�。�
          

			
          

			
          
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