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        1. 2010年上海世博會場館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、lnGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          [Ar]3d104s24p1
          [Ar]3d104s24p1

          (2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
          4
          4
          ,與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體

          (3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3>AsH3>PH3
          NH3>AsH3>PH3
          . (用氫化物分子式表示)
          (4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2

          (5)比較二者的第一電離能:As
          Ga(填“<”、“>”或“=”).
          (6)下列說法正確的是
          BCD
          BCD
          (填字母).
          A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.GaP與GaAs互為等電子體
          C.電負性:As>Ga       D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.
          分析:(1)根據(jù)鎵在周期表中的位置利用能量最低原理和洪特規(guī)則書寫電子排布式;
          (2)根據(jù)“均攤法”計算晶胞的結(jié)構(gòu);
          (3)NH3分子間存在氫鍵,沸點最高,分子的相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,分子晶體的沸點越高;
          (4)Ga原子周圍只有3對成鍵電子對,故其雜化方法為sp2
          (5)As和Ga處于同一周期,而處于VA的As外圍電子處于半滿的較穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故As的第一電離能大于Ga;
          (6)由題中晶胞圖可知A顯然是錯誤的.根據(jù)等電子體的概念可知選項B正確.根據(jù)電負性的概念可知選項C正確.由于Ga原子最外層只有3個電子,而每個Ga原子與4個As原子成鍵,因此其中一個共價鍵必為配位鍵,D正確.
          解答:解:(1)鎵位于周期表中第四周期第IIIA,故其核外電子排布式為[Ar]3d104s24p1,故答案為:[Ar]3d104s24p1
          (2)根據(jù)“均攤法”:白色球個數(shù)為6×
          1
          2
          +
          1
          8
          =4.由晶胞圖可知與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為正四面體,故答案為:4;正四面體;
          (3)由于NH3分子間存在氫鍵,所以NH3的沸點最高,由于AsH3的相對分子質(zhì)量大于PH3,故AsH3的沸點高于PH3,故答案為:NH3>AsH3>PH3
          (4)由于Ga原子周圍只有3對成鍵電子對,故其雜化方法為sp2,故答案為:sp2;
          (5)As和Ga處于同一周期,而處于VA的As外圍電子處于半滿的較穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故As的第一電離能大于Ga,故答案為:>;
          (6)A.NaCl晶體中,鈉離子位于頂點和面心,氯離子位于棱和體心,二者晶體結(jié)構(gòu)不同,故A錯誤;
          B.P和As位于同一主族,價電子數(shù)目相等,故B正確;
          C.同周期元素從左到右元素的電負性逐漸增強,故C正確;
          D.由于Ga原子最外層只有3個電子,而每個Ga原子與4個As原子成鍵,因此其中一個共價鍵必為配位鍵,故D正確.
          故答案為:BCD.
          點評:本題考查晶胞的計算、沸點的比較、電子排布式的書寫以及雜化軌道等知識,題目難度中等,本題注意晶胞的計算方法和元素周期律的利用.
          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          2010年上海世博會場館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          1s22s22p63d104s24p1
          1s22s22p63d104s24p1

          (2)比較二者的第一電離能:As
          Ga(填“<”、“>”或“=”).
          (3)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
          4
          4
          ,與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體

          (4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2

          (5)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3>AsH3>PH3
          NH3>AsH3>PH3
          .(用氫化物分子式表示)
          (6)下列說法正確的是
          BCD
          BCD
          (填字母).
          A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同       B.GaP與GaAs互為等電子體
          C.電負性:As>Ga                  D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          2010年上海世博會主題是“城市,讓生活更美好”,下列有關(guān)世博會說法錯誤的是( 。

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          (2011?南京模擬)2010年上海世博會場館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1
          ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1

          (2)砷化鎵品胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
          4
          4
          ,與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體

          (3)下列說法正確的是
          BCDE
          BCDE
          (填字母).
          A.砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
          B.第一電離能:As>Ga
          C.電負性:As>Ga
          D.砷化鎵晶體中含有配位鍵
          E.GaP與GaAs互為等電子體
          (4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3>AsH3>PH3
          NH3>AsH3>PH3

          (5)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          (2011?石景山區(qū)一模)2010年上海世博會的主題是“城市,讓生活更美好”.下列敘述中不正確的是( 。

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