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        1. GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越.Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第VA族.
          (1)Ga和As的核電荷數(shù)分別是
           

          (2)GaAs中Ga和As的化合價分別是
           

          (3)第IVA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為
           
          ,C和Si原子之間形成
           
           鍵,在該化合物的晶體中,1個C原子與
           
          個Si原子相連.
          (4)寫出能說明碳酸的酸性大于硅酸的酸性的離子反應(yīng)方程式
           
          分析:(1)Ga、As處于第四周期,原子序數(shù)比第三周期同主族元素大18;
          (2)As的電負性更大,GaAs中Ga表現(xiàn)正價、As表現(xiàn)負價,主族元素最高正化合價等于族序數(shù),最低負化合價=族序數(shù)-8;
          (3)C和Si也可以形成的化合物,C元素電負性更大,表現(xiàn)-4負價,Si表現(xiàn)+4價,故化學(xué)式為SiC,晶體中C原子與Si原子之間形成共價鍵,該晶體為原子晶體,具有金剛石的結(jié)構(gòu),每個C原子與4個Si原子成4個C-Si鍵,每個Si原子與4個C原子成4個Si-C鍵;
          (4)碳酸與硅酸鈉反應(yīng)生成硅酸,說明碳酸的酸性比硅酸強.
          解答:解:(1)Ga、As處于第四周期,原子序數(shù)比第三周期同主族元素大18,Ga位于周期表的第ⅢA族,故Ga的原子序數(shù)為13+18=31,As位于周期表的第VA族,故As的原子序數(shù)為14+18=32,
          故答案為:31、32;
          (2)As的電負性更大,GaAs中Ga表現(xiàn)正價、As表現(xiàn)負價,Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第VA族,故GaAs中Ga的化合價為+3、As的化合價為5-8=-3,
          故答案為:+3;-3;
          (3)C和Si也可以形成的化合物,C元素電負性更大,表現(xiàn)-4負價,Si表現(xiàn)+4價,故化學(xué)式為SiC,晶體中C原子與Si原子之間形成共價鍵,該晶體為原子晶體,具有金剛石的結(jié)構(gòu),每個C原子與4個Si原子成4個C-Si鍵,每個Si原子與4個C原子成4個Si-C鍵,
          故答案為:SiC;共價;4;
          (4)碳酸與硅酸鈉反應(yīng)生成硅酸,說明碳酸的酸性比硅酸強,反應(yīng)離子方程式為:SiO32-+2H2O+CO2═H2SiO3↓+CO32-,
          故答案為:SiO32-+2H2O+CO2═H2SiO3↓+CO32-
          點評:本題考查位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)關(guān)系、晶體結(jié)構(gòu)、硅化合物性質(zhì)等,比較基礎(chǔ),注意識記中學(xué)教材中常見晶體的結(jié)構(gòu).
          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          (2012?許昌三模)[化學(xué)--選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]砷(As)是一種重要的化學(xué)元素,其可形成多種用途廣泛的化合物.
          (1)寫出基態(tài)砷原子的電子排布式
          [Ar]3d104s24p3
          [Ar]3d104s24p3
          ;砷與溴的電負性相比,較大的是
          Br(或溴)
          Br(或溴)

          (2)砷(As)的氫化物與同族第二、三周期元素所形成的氫化物的穩(wěn)定性由大到小的順
          序為(用化學(xué)式表示)
          NH3>PH3>AsH3
          NH3>PH3>AsH3
          ;氫化物的沸點由高到低的順序為(用化學(xué)式表示)
          NH3>AsH3>PH3
          NH3>AsH3>PH3

          (3)Na3AsO4可作殺蟲劑.AsO
           
          3-
          4
          的空間構(gòu)型為
          正四面體形
          正四面體形
          .As原子采取
          sp3
          sp3
          雜化.
          (4)某砷的氧化物俗稱“砒霜”,其分子結(jié)構(gòu)如右圖所示.該化合物的分子式為
          As4O6
          As4O6

          (5)GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似.GaAs晶胞中含有
          4
          4
          個砷原子.

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          Ga和As在一定條件下可以合成GaAs,GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越.多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽,其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等.
          (1)Ga在元素周期表的位置是
          第四周期第IIIA族
          第四周期第IIIA族
          ,As的原子結(jié)構(gòu)示意圖

          (2)Ga的原子核外電子排布式為:
          1s22s22p63s23p63d104s24p1
          1s22s22p63s23p63d104s24p1

          (3)GaCl3和AsF3的空間構(gòu)型分別是:GaCl3
          平面三角形
          平面三角形
          ,AsF3
          三角錐形
          三角錐形

          (4)第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料SiC,其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似,則SiC屬于
          原子
          原子
          晶體,并寫出其主要的物理性質(zhì)
          硬度大、熔點高
          硬度大、熔點高
            (任2種).
          (5)第一電離能:As
          Se(填“>”、“<”或“=”).
          (6)硫化鋅的晶胞中(結(jié)構(gòu)如圖所示),硫離子的配位數(shù)是
          4
          4

          (7)二氧化硒分子的空間構(gòu)型為
          V形
          V形
          ,寫出它的1個等電子體的分子式
          O3(或SO2
          O3(或SO2

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

          (1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是:Ga________、As________。

          (2)GaAs中Ga和As的化合價分別是:Ga________價、As________價。

          (3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

          (1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是:Ga________、As________。

          (2)GaAs中Ga和As的化合價分別是:Ga________價、As________價。

          (3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          Ga和As在一定條件下可以合成GaAs,GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越.多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽,其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等.
          (1)Ga在元素周期表的位置是______,As的原子結(jié)構(gòu)示意圖______.
          (2)Ga的原子核外電子排布式為:______.
          (3)GaCl3和AsF3的空間構(gòu)型分別是:GaCl3______,AsF3______.
          (4)第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料SiC,其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似,則SiC屬于______晶體,并寫出其主要的物理性質(zhì)______  (任2種).
          (5)第一電離能:As______Se(填“>”、“<”或“=”).
          (6)硫化鋅的晶胞中(結(jié)構(gòu)如圖所示),硫離子的配位數(shù)是______.
          (7)二氧化硒分子的空間構(gòu)型為______,寫出它的1個等電子體的分子式______.
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