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          精英家教網 > 高中化學 > 題目詳情
          
			
          
				
          GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
            
          （1）Ga和As的最外層電子數分別是：Ga________、As________。
            
          （2）GaAs中Ga和As的化合價分別是：Ga________價、As________價。
            
          （3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料，該化合物半導體材料的化學式可表示為________。
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          硅   四氟化硅    二氧化硅    硅酸鈉硅酸
            
          解析:
          由硅元素的特征性質推斷。
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關習題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結構如圖．試回答：
          （1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          [Ar]3d104s24p1
          [Ar]3d104s24p1
          ．
          （2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數為
          4
          4
          ，與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構型為
          正四面體
          正四面體
          ．
          （3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ． （用氫化物分子式表示）
          （4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          （5）比較二者的第一電離能：As
          ＞
          ＞
          Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
          （6）下列說法正確的是
          BCD
          BCD
          （填字母）．
          A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
          C．電負性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：
				題型：
			
          

						
          GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
          （1）Ga和As的最外層電子數分別是：Ga________、As________。
          （2）GaAs中Ga和As的化合價分別是：Ga________價、As________價。
          （3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料，該化合物半導體材料的化學式可表示為________。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：2012-2013學年河南省鄭州市第四中學高二下學期期中考試化學試卷（帶解析）
				題型：填空題
			
          

						
          2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED晶片，材質基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結構如圖。試回答：

          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_______。
          (2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數為______，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為______。
          (3)下列說法正確的是_________(填字母)。
          A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同
          B.第一電離能：As<Ga
          C.電負性：As>Ga
          D.GaP與GaAs互為等電子體
          (4)N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是_________。
          (5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：2014屆河南省鄭州市高二下學期期中考試化學試卷（解析版）
				題型：填空題
			
          

						
          2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED晶片，材質基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結構如圖。試回答：
          


          


          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_______。
          


          (2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數為______，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為______。
          


          (3)下列說法正確的是_________(填字母)。
          


          A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同
          


          B.第一電離能：As<Ga
          


          C.電負性：As>Ga
          


          D.GaP與GaAs互為等電子體
          


          (4)N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是_________。
          


          (5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。
          


           
          

			
          

			
          
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